[实用新型]一种OVD法沉积松散体的烧结保护装置

说明书

本实用新型公开了一种OVD法沉积松散体的烧结保护装置，包括烧结炉芯管、沉积靶棒和保护托盘；所述沉积靶棒上沉积有松散体；沉积有松散体的沉积靶棒安装于所述烧结炉芯管中；所述沉积靶棒的尾端设有安装孔，该安装孔上横向穿设有一陶瓷销子；所述保护托盘为敞口结构，其具有盘底和设置于盘底的边部上的敞口盘罩；所述保护托盘的盘底的中部具有中心孔，保护托盘利用其中心孔套装于沉积靶棒上，且保护托盘支撑于所述陶瓷销子上；所述保护托盘的敞口盘罩的直径大于松散体的直径。本实用新型可以避免出现砸伤炉芯管的现象，可以有效的保护炉芯管，减少安全隐患，提高生产效率，降低生产成本。

技术领域

本实用新型涉及光纤预制棒制造领域，特别涉及一种OVD法沉积松散体的烧结保护装置。

背景技术

目前用于制备光纤预制棒松散体的方法主要有三种：改进的化学气相沉积法(MCVD)、外部气相沉积法(OVD)和轴向气相沉积法(VAD)。其中的外部气相沉积法(OVD)是采用金属灯产生的协流火焰进行火焰水解和烧结，将SiO₂沉积在预制棒上；一般，如果烧结前的沉积松散体的密度较大，在烧结工序中，沉积松散体不易出现开裂、脱落现象；但是，对于掺氟的沉积松散体，由于其密度不宜过大，在烧结工序中容易出现开裂、脱落现象；目前，松散体在脱水/玻璃化阶段如果出现开裂、脱落的情况，则很难清理，且脱落的松散体容易砸伤炉芯管，造成气体泄漏；而如果更换炉芯管，则不仅增加工作量，降低生产效率，也浪费了资源；因此，有必要开发一种OVD法沉积松散体的烧结保护装置。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型的目的在于提供一种OVD法沉积松散体的烧结保护装置，可以避免出现砸伤炉芯管的现象，可以有效的保护炉芯管，减少安全隐患，提高生产效率，降低生产成本。

为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本实用新型通过以下技术方案实现：

一种OVD法沉积松散体的烧结保护装置，包括烧结炉芯管、沉积靶棒和保护托盘；所述沉积靶棒上沉积有松散体；沉积有松散体的沉积靶棒安装于所述烧结炉芯管中；所述沉积靶棒的尾端设有安装孔，该安装孔上横向穿设有一陶瓷销子；所述保护托盘为敞口结构，其具有盘底和设置于盘底的边部上的敞口盘罩；所述保护托盘的盘底的中部具有中心孔，保护托盘利用其中心孔套装于沉积靶棒上，且保护托盘支撑于所述陶瓷销子上；所述保护托盘的敞口盘罩的直径大于松散体的直径。

作为本实用新型上述技术方案的进一步改进，所述沉积靶棒是由上靶棒和下靶棒组成，且上靶棒和下靶棒是通过等离子焊接方式焊接为一体，其中的下靶棒为待报废芯棒。

作为本实用新型上述技术方案的更进一步改进，所述沉积靶棒是通过悬挂棒安装于烧结炉芯管中。

作为本实用新型的一个优选技术方案，所述保护托盘为敞口一体结构，敞口盘罩与盘底为一体结构，且所述敞口盘罩为弧形面结构；进一步的，该保护托盘的盘底厚度为13～17mm，保护托盘的盘深为47～53mm。

作为本实用新型的另一个优选技术方案，所述保护托盘为敞口分体结构，保护托盘的盘底的边部设有环形凹槽，敞口盘罩设置于该环形凹槽中；进一步的，该保护托盘的盘底厚度为13～17mm，环形凹槽的深度为8～10mm，敞口盘罩的高度为51～59mm，敞口盘罩的厚度为3～5mm。

进一步的，所述陶瓷销子的长度为95～102mm，直径为9～11mm。

更进一步的，沉积靶棒上的安装孔的位置与沉积靶棒的最末端的距离为30～40mm。

本实用新型的有益效果：

该保护装置可以在松散体烧结过程中，对烧结炉芯管进行一定的保护；具体的，当松散体出现脱落或断裂时，沉积靶棒尾部上的保护托盘可以接住脱落的松散体粉末，防止松散体粉末砸伤烧结炉芯管，对烧结炉芯管进行有效的保护，减少安全隐患，大大减少炉芯管更换次数，延长烧结炉芯管使用寿命，提高生产效率，降低生产成本。