[实用新型]一种用于碳化硅晶体生长的热壁内外石英管有效

专利信息
申请号: 202022313523.5 申请日: 2020-10-17
公开(公告)号: CN213596463U 公开(公告)日: 2021-07-02
发明(设计)人: 英浩 申请(专利权)人: 连云港保康石英制品有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B23/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 222313 江苏省连云港市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 碳化硅 晶体生长 内外 石英管
【说明书】:

实用新型公开了一种用于碳化硅晶体生长的热壁内外石英管,包括安装座、石英管、弧形盖板、连接杆和液压推杆,所述安装座之间插设安装有石英管,所述石英管两侧分别设有对应的弧形盖板,所述弧形盖板内侧包覆有高温玻璃布,所述弧形盖板外侧顶部和顶部均通过螺栓固定安装有弧度安装板。通过高温玻璃布的使用,可有效降低真空离子发生器工作瞬时启动的高温对石英管的伤害,能够避免石英管爆裂,增长其使用寿命,减少机台维护频率,具有较高的实用性,且人员可在不接触石英管的情况下,对弧形盖板进行推送盖设,完成防护作业。

技术领域

本实用新型涉及石英管技术领域,特别涉及一种用于碳化硅晶体生长的热壁内外石英管。

背景技术

化合物半导体是中国目前积极开发推进的,包括碳化硅/氮化镓等,碳化硅晶体是碳化硅半导体器件的原材料;而生产碳化硅晶体主流方法为PVT物理气相输运法,此方法需要使用到高温加热和温度梯度;但其内部还会存在杂质点。

在光伏电池片生产领域中,给已完成扩散工艺的电池片镀上一层氮化硅膜,以保护电池片避免脏污,保护PN结;那么镀膜工艺分为管式镀膜和板式镀膜,其中平板式镀膜设备采用的是真空离子发生器,发出的离子在真空石英管传播,穿出石英管壁,飞向靶片,飞向靶片的过程中将氮化硅的特种气体分子吸引并带到靶片上,形成一层20微米的氮化硅膜,在石英管的使用温度范围内;但石英管含有的杂质点,瞬时启动高温时成为等离子体能力积聚点,局部高温和应力而爆裂;造成使用寿命短,维护周期过短,机台停机维护频繁,缺乏良好的防护部件。为此,我们提出一种用于碳化硅晶体生长的热壁内外石英管。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种用于碳化硅晶体生长的热壁内外石英管,可以有效解决背景技术中的问题。

为实现上述目的,本实用新型采取的技术方案为:

一种用于碳化硅晶体生长的热壁内外石英管,包括安装座、石英管、弧形盖板、连接杆和液压推杆,所述安装座之间插设安装有石英管,所述石英管两侧分别设有对应的弧形盖板,所述弧形盖板内侧包覆有高温玻璃布,所述弧形盖板外侧顶部和顶部均通过螺栓固定安装有弧度安装板。

进一步地,所述弧度安装板一侧均焊设有连接杆,所述连接杆一侧设有液压推杆,所述液压推杆的输出端与连接杆通过螺栓安装连接。

进一步地,所述弧形盖板通过高温玻璃布分别对石英管两侧盖设连接。

进一步地,所述弧形盖板为石英材料制作。

与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:将液压推杆安装布设于所需使用的离子镀膜设备的箱体两侧,将液压推杆的输出端与连接杆连接,使用时,人员通过液压推杆对连接杆进行推动,从而使两侧连接杆上的弧形盖板进行盖合,使得弧形盖板内侧的高温玻璃布能够对石英管进行盖设,通过高温玻璃布的使用,可有效降低真空离子发生器工作瞬时启动的高温对石英管的伤害,能够避免石英管爆裂,增长其使用寿命,减少机台维护频率,具有较高的实用性,且人员可在不接触石英管的情况下,对弧形盖板进行推送盖设,完成防护作业。

附图说明

图1为本实用新型一种用于碳化硅晶体生长的热壁内外石英管的弧形盖板开启结构示意图。

图2为本实用新型一种用于碳化硅晶体生长的热壁内外石英管的弧形盖板闭合结构示意图。

图3为本实用新型一种用于碳化硅晶体生长的热壁内外石英管的弧形盖板材料层示意图。

图中:1、安装座;2、石英管;3、弧形盖板;4、高温玻璃布;5、弧度安装板;6、连接杆;7、液压推杆。

具体实施方式

为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本实用新型。

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