[实用新型]一种氮化镓晶体管驱动电路有效
| 申请号： | 202022269582.7 | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN213783268U | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 许亚坡;林志东;洪燕东;徐宁;刘成;何俊蕾;叶念慈 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/04 | 分类号： | H03K17/04;H03K17/567 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 晶体管 驱动 电路 | ||
1.一种氮化镓晶体管驱动电路，其特征在于，
包括二极管DON、三极管QOFF、串联分压电路；
所述串联分压电路由第一稳压二极管ZZ或第一电阻RZ、电容CZ构成；
所述二极管DON的阳极与所述三极管QOFF的基极连接，所述二极管DON的阳极与所述三极管QOFF的基极的连接点作为氮化镓晶体管驱动电路的输入端；
所述二极管DON的阴极分别与所述三极管QOFF的发射极、所述第一稳压二极管ZZ的阴极或第一电阻RZ的一端、所述电容CZ的一端相连接，所述三极管QOFF的集电极接地；
所述第一稳压二极管ZZ的阳极或第一电阻RZ的另一端与所述电容CZ的另一端连接，所述第一稳压二极管ZZ的阳极或第一电阻RZ的另一端与所述电容CZ的另一端的连接点作为氮化镓晶体管驱动电路的输出端；
所述氮化镓晶体管驱动电路的输入端用于接入PWM驱动信号；
所述氮化镓晶体管驱动电路的输出端用于接至氮化镓晶体管的栅极。
2.根据权利要求1所述氮化镓晶体管驱动电路，其特征在于，
所述三极管QOFF是PNP型三极管。
3.根据权利要求1所述氮化镓晶体管驱动电路，其特征在于，
所述氮化镓晶体管驱动电路还包括双向箝位稳压电路，所述双向箝位稳压电路的一端连接至氮化镓晶体管驱动电路的输出端，所述双向箝位稳压电路的另一端接地。
4.根据权利要求3所述氮化镓晶体管驱动电路，其特征在于，
所述双向箝位稳压电路由第二稳压二极管ZON、第三稳压二极管ZOFF构成；所述第二稳压二极管ZON的阴极作为所述双向箝位稳压电路的一端，所述第二稳压二极管ZON的阳极与所述第三稳压二极管ZOFF的阳极连接，所述第三稳压二极管ZOFF的阴极接地。
5.根据权利要求1所述氮化镓晶体管驱动电路，其特征在于，
所述氮化镓晶体管驱动电路还包括开通电阻RON，所述开通电阻RON串联至氮化镓晶体管驱动电路的输入端。
6.根据权利要求1所述氮化镓晶体管驱动电路，其特征在于，
所述氮化镓晶体管为HEMT器件。
7.根据权利要求5所述氮化镓晶体管驱动电路，其特征在于，
所述开通电阻RON的阻值小于等于300Ω。
8.根据权利要求1所述氮化镓晶体管驱动电路，其特征在于，
所述第一电阻RZ的阻值范围为1kΩ～100kΩ。
9.根据权利要求1所述氮化镓晶体管驱动电路，其特征在于，
所述电容CZ的容值范围为300pF～200nF。
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