[实用新型]太阳能电池

说明书

本申请提供了一种太阳能电池，包括硅基底、依次设置在所述硅基底背面的隧穿层与掺杂多晶硅层，所述硅基底的正面形成有扩散层，所述扩散层具有相邻的第一区域与第二区域；所述太阳能电池还包括设置在所述第一区域的钝化减反射层、设置在所述第二区域的透明氧化物导电层、设置在所述透明氧化物导电层背离所述扩散层一侧表面上的正面电极。本申请太阳能电池通过在扩散层的第二区域设置透明氧化物导电层，可将既定的低温浆料设置到所述透明氧化物导电层上，并经固化得到所述正面电极，无需高温烧结；且在扩散层的第一区域设置钝化减反射层，保证正面钝化性能。

技术领域

本实用新型涉及光伏发电技术领域，特别涉及一种太阳能电池。

背景技术

随着光伏产业的快速发展，近年来国内外光伏市场对电池转换效率的需求也越来越高。另一方面，传统晶体硅太阳能电池仅仅依靠工艺改良对效率的提升也越来越难，这也使得业内各大厂商就新的高效电池结构及生产工艺进行积极研发。其中，TOPCon(TunnelOxide Passivated Contact，隧穿氧化层钝化接触)电池通过在表面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层掺杂多晶硅层，提高表面钝化性能，有效提升电池的开路电压与短路电流。

上述TOPCon电池的正面经扩散形成扩散层，所述扩散层上设置有钝化减反射层与正面电极，所述正面电极穿过钝化减反射层并与所述扩散层形成欧姆接触。电池的背面电极经由同样的高温烧结过程得到，这就要求电池背面的掺杂多晶硅层具备一定厚度，避免被烧穿，导致接触电阻增大，而若提高掺杂多晶硅层的厚度，又会影响电池电流密度；除此，高温烧结过程还会影响电池的使用寿命。业内也公开有在掺杂多晶硅层上设置透明氧化物导电层，再采用低温银浆固化制备金属电极的方案，但上述金属化方案较难直接应用于电池正面的扩散层。

鉴于此，有必要提供一种新的太阳能电池。

实用新型内容

本申请的目的在于提供一种太阳能电池，能够降低掺杂多晶硅层厚度，保证正面钝化性能，提高电池性能。

为实现上述目的，本申请实施例提供了一种太阳能电池，包括硅基底、依次设置在所述硅基底背面的隧穿层与掺杂多晶硅层，所述硅基底的正面形成有扩散层，所述扩散层具有相邻的第一区域与第二区域；所述太阳能电池还包括设置在所述第一区域的钝化减反射层、设置在所述第二区域的透明氧化物导电层、设置在所述透明氧化物导电层背离所述扩散层一侧表面上的正面电极。

作为本申请实施例的进一步改进，所述正面电极不超出所述透明氧化物导电层。

作为本申请实施例的进一步改进，所述太阳能电池还包括设置在所述掺杂多晶硅层背离所述硅基底一侧表面的背面透明氧化物导电层、连接所述背面透明氧化物导电层的背面电极。

作为本申请实施例的进一步改进，所述背面透明氧化物导电层覆盖所述掺杂多晶硅层的部分区域；所述太阳能电池还包括与所述背面透明氧化物导电层相邻设置且覆盖所述掺杂多晶硅层其它区域的背钝化层。

作为本申请实施例的进一步改进，所述背面电极不超出所述背面透明氧化物导电层。

作为本申请实施例的进一步改进，所述正面电极与背面电极均设置为银电极。

作为本申请实施例的进一步改进，所述掺杂多晶硅层的厚度设置为10～30nm。

作为本申请实施例的进一步改进，所述透明氧化物导电层的厚度设置为50～120nm。

作为本申请实施例的进一步改进，所述隧穿层设置为氧化硅膜层或氮氧化硅膜层或本征非晶硅膜层，且所述隧穿层的厚度设置为1～3nm。

作为本申请实施例的进一步改进，所述硅基底为N型硅片；所述钝化减反射层包括邻近所述扩散层设置的氧化铝膜层、层叠设置在所述氧化铝膜层上的氮化硅膜层。