[实用新型]太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括硅基底、依次设置在所述硅基底背面的隧穿层与掺杂多晶硅层，所述硅基底的正面形成有扩散层，其特征在于：所述扩散层具有相邻的第一区域与第二区域，所述太阳能电池还包括设置在所述第一区域的钝化减反射层、设置在所述第二区域的透明氧化物导电层、设置在所述透明氧化物导电层背离所述扩散层一侧表面上的正面电极。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述正面电极不超出所述透明氧化物导电层。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池还包括设置在所述掺杂多晶硅层背离所述硅基底一侧表面的背面透明氧化物导电层、连接所述背面透明氧化物导电层的背面电极。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于：所述背面透明氧化物导电层覆盖所述掺杂多晶硅层的部分区域；所述太阳能电池还包括与所述背面透明氧化物导电层相邻设置且覆盖所述掺杂多晶硅层其它区域的背钝化层。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于：所述背面电极不超出所述背面透明氧化物导电层。

6.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于：所述正面电极与背面电极均设置为银电极。

7.根据权利要求1或3所述的太阳能电池，其特征在于：所述掺杂多晶硅层的厚度设置为10～30nm。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述透明氧化物导电层的厚度设置为50～120nm。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述隧穿层设置为氧化硅膜层或氮氧化硅膜层或本征非晶硅膜层，且所述隧穿层的厚度设置为1～3nm。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述硅基底为N型硅片；所述钝化减反射层包括邻近所述扩散层设置的氧化铝膜层、层叠设置在所述氧化铝膜层上的氮化硅膜层。