[实用新型]一种整流器件及集成芯片

说明书

本申请提供一种整流器件及集成芯片，整流器件包括：衬底；氧化镓薄膜，形成于所述衬底上；电极层，形成于所述氧化镓薄膜上；下电极层，形成于所述衬底与所述氧化镓薄膜相对的另一面上。该整流器件的氧化镓薄膜结晶性能良好，整流特性良好，可用于芯片集成制备技术。

技术领域

本申请涉及电子器件领域，具体涉及一种整流器件及集成芯片。

背景技术

碳化硅由于具有优异的物理性能，受到了半导体领域的关注，基于碳化硅的器件也在不断的出现，比如SBD、JBS和MOSFET等，这些器件的研发和生产，将部分替代硅基器件，在未来具有很大的市场。异质结是构建很多器件的基本结构，其中包括肖特基结、pn结、nn结和pp结等。其中，整流器件，就是基于这些异质结构的，整流器件中，常见的是利用肖特基结和pn结。整流器件在工业设备和电子器件中应用的也相当广泛。作为新兴的半导体材料，碳化硅在构建器件方面的潜力还有很大的开发空间，以及潜在的市场前景。

目前碳化硅单晶可以实现p型和n型掺杂，n型衬底已经商业化。氧化镓Ga₂O₃材料，在不掺杂的情况下，呈现自然的n型导电特性。而且，由于氧化镓具有很好的化学稳定性和高的击穿场强，在功率器件中也具有一定的应用前景。

背景技术部分的内容仅仅是公开人所知晓的技术，并不代表本领域的现有技术。

实用新型内容

本申请提供一种整流器件，该整流器件具有氧化镓薄膜，该氧化镓薄膜具有良好的氧化镓薄膜，该氧化镓薄膜结晶性能良好，具有良好的整流特性。

根据本申请一个方面，该整流器件包括：衬底；氧化镓薄膜，形成于所述衬底上；电极层，形成于所述氧化镓薄膜上；下电极层，形成于与所述氧化镓薄膜相对的所述衬底的另一侧。

根据本申请一些实施例，所述衬底的等效直径为2至6英寸。

根据本申请一些实施例，所述衬底包括碳化硅单晶材料。

根据本申请一些实施例，所述碳化硅单晶材料包括：(001)面取向的n型4H-碳化硅，斜切4°或8°。

根据本申请一些实施例，所述氧化镓薄膜厚度为100纳米至500 纳米。

根据本申请一些实施例，所述氧化镓薄膜包括纯度在99.99％及以上的氧化镓。

根据本申请一些实施例，所述电极层包括金属钛层和金属金层，所述金属金层覆盖所述金属钛层。

根据本申请一些实施例，所述金属钛层厚度为5至20纳米。

根据本申请一些实施例，所述金属金层厚度为50至100纳米。

根据本申请一些实施例，所述电极层还包括金属铝层，覆盖所述金属金层。

根据本申请一些实施例，所述金属铝层厚度为1至5微米。

根据本申请一些实施例，所述下电极层包括金属钛层及金属金层，所述金属金层覆盖所述金属钛层。

根据本申请一些实施例，所述金属钛层厚度为5至20纳米。

根据本申请一些实施例，金属金层厚度为50至100纳米。

根据本社情另一方便，还提供一种集成芯片，包括如上所述的整流器件。

根据一些实施例，本申请所提供的整流器件，该整流器件的氧化镓薄膜结晶性能良好，整流特性良好，可用于芯片集成制备技术。并且，该整流器件的制备技术操作步骤简单、成本低廉，适用于现在的半导体生产线批量化生产。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：