[实用新型]一种整流器件及集成芯片

权利要求书

1.一种整流器件，其特征在于，包括：

衬底；

氧化镓薄膜，形成于所述衬底上；

电极层，形成于所述氧化镓薄膜上；

下电极层，形成于所述衬底与所述氧化镓薄膜相对的另一面上。

2.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述衬底的直径为2至6英寸。

3.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述衬底包括碳化硅单晶材料。

4.根据权利要求3所述的整流器件，其特征在于，所述碳化硅单晶材料包括：

001面取向的n型4H-碳化硅，斜切4°或8°。

5.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述氧化镓薄膜厚度为100纳米至500纳米。

6.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述氧化镓薄膜包括纯度在99.99％及以上的氧化镓。

7.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述电极层包括钛层和金层，所述金层覆盖所述钛层；

其中，所述钛层厚度为5至20纳米，所述金层厚度为50至100纳米。

8.根据权利要求7所述的整流器件，其特征在于，所述电极层还包括铝层，覆盖所述金层；

其中，所述铝层厚度为1至5微米。

9.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述下电极层包括钛层及金层，所述金层覆盖所述钛层；

其中，所述钛层厚度为5至20纳米，所述金层厚度为50至100纳米。

10.一种集成芯片，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的整流器件。