[实用新型]一种振荡器及芯片有效

专利信息
申请号: 202022205339.9 申请日: 2020-09-30
公开(公告)号: CN213637721U 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 徐明揆;刘梦 申请(专利权)人: 芯天下技术股份有限公司
主分类号: H03L7/099 分类号: H03L7/099
代理公司: 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 代理人: 陈志超;唐敏珊
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区园山街*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 振荡器 芯片
【权利要求书】:

1.一种振荡器,其特征在于,包括:

偏置电压产生电路,用于产生NMOS的偏置电压N_BIAS和PMOS的偏置电压P_BIAS;

振荡器电路,包括环形振荡器,所述环形振荡器根据NMOS的偏置电压N_BIAS和PMOS的偏置电压P_BIAS控制自身的振荡频率;

温度检测电路,实时检测环境温度的高低,根据环境温度的高低控制NMOS的偏置电压N_BIAS和PMOS的偏置电压P_BIAS的高低,使环形振荡器的振荡频率不随电源电压的高低而变化;

所述温度检测电路与偏置电压产生电路连接,偏置电压产生电路与温度检测电路连接。

2.根据权利要求1所述的振荡器,其特征在于,所述温度检测电路包括第一PMOS管PM0、电阻R、NMOS管NMOS_B,第一NMOS管NM0和第二NMOS管NM1,所述第一PMOS管PM0的一端连接零电位参考点,第一PMOS管PM0的另一端与电阻R的一端连接,第一PMOS管PM0的栅极与振荡器使能信号OSC_EN连接,电阻R的另一端与NMOS管NMOS_B的一端连接,NMOS管NMOS_B的另一端接地;电阻R的另一端与偏置电压产生电路连接。

3.根据权利要求2所述的振荡器,其特征在于,所述NMOS管NMOS_B包括第一NMOS管NM0和第二NMOS管NM1,电阻R的另一端与第一NMOS管NM0的漏极连接,第一NMOS管NM0的源极与第二NMOS管NM1的漏极连接,第二NMOS管NM1的源极接地,第一NMOS管NM0的漏极与第一NMOS管NM0的栅极连接,第二NMOS管NM1的漏极与第二NMOS管NM1的栅极连接。

4.根据权利要求1所述的振荡器,其特征在于,所述振荡器电路包括第二PMOS管PM1、第三PMOS管PM2、第四PMOS管PM3、第五PMOS管PM4、第六PMOS管PM5、第七NMOS管NM6、第三NMOS管NM2、第四NMOS管NM3、第五NMOS管NM4、第六NMOS管NM5、第七NMOS管NM6和第八NMOS管NM7,所述第二PMOS管PM1的漏极连接零电位参考点,第二PMOS管PM1的源极与第三PMOS管PM2的漏极连接,第二PMOS管PM1的栅极连接偏置电压产生电路;第三PMOS管PM2的源极与第三NMOS管NM2的漏极连接,第三NMOS管NM2的栅极与第三PMOS管PM2的栅极连接,第三NMOS管NM2的源极与第四NMOS管NM3的漏极连接,第四NMOS管NM3的源极接地,第四NMOS管NM3的栅极连接偏置电压产生电路;第四PMOS管PM3的漏极连接零电位参考点,第四PMOS管PM3的源极与第五PMOS管PM4的漏极连接,第五PMOS管PM4的源极与第五NMOS管NM4的漏极连接,第五NMOS管NM4的栅极与第五PMOS管PM4的栅极连接,第五NMOS管NM4的源极与第六NMOS管NM5的漏极连接,第六NMOS管NM5的源极接地;第六PMOS管PM5的漏极连接零电位参考点,第六PMOS管PM5的源极与第七NMOS管NM6的漏极连接,第七NMOS管NM6的栅极与第七NMOS管NM6的栅极连接,第七NMOS管NM6的源极与第七NMOS管NM6漏极连接,第七NMOS管NM6的源极与第八NMOS管NM7的漏极连接,第八NMOS管NM7的漏极接地;第三PMOS管PM2的栅极和第三NMOS管NM2的栅极连接在一起后与振荡器OSC连接,第六PMOS管PM5的源极和第七NMOS管NM6的漏极连接在一起后与振荡器OSC连接;第二PMOS管PM1的栅极、第四PMOS管PM3的栅极和第六PMOS管PM5的栅极连接在一起;第四NMOS管NM3的栅极、第六NMOS管NM5的栅极、和第八NMOS管NM7的栅极连接在一起;第三PMOS管PM2的源极和第三NMOS管NM2的漏极连接在一起后与第五PMOS管PM4的栅极与第五NMOS管NM4的栅极的连接点连接在一起,第五PMOS管PM4的源极和第五NMOS管NM4的漏极连接与第七NMOS管NM6的栅极与第七NMOS管NM6的栅极连接点连接在一起。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯天下技术股份有限公司,未经芯天下技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022205339.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top