[实用新型]一种振荡器及芯片有效
| 申请号: | 202022205339.9 | 申请日: | 2020-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN213637721U | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
| 发明(设计)人: | 徐明揆;刘梦 | 申请(专利权)人: | 芯天下技术股份有限公司 |
| 主分类号: | H03L7/099 | 分类号: | H03L7/099 |
| 代理公司: | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人: | 陈志超;唐敏珊 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区园山街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 振荡器 芯片 | ||
1.一种振荡器,其特征在于,包括:
偏置电压产生电路,用于产生NMOS的偏置电压N_BIAS和PMOS的偏置电压P_BIAS;
振荡器电路,包括环形振荡器,所述环形振荡器根据NMOS的偏置电压N_BIAS和PMOS的偏置电压P_BIAS控制自身的振荡频率;
温度检测电路,实时检测环境温度的高低,根据环境温度的高低控制NMOS的偏置电压N_BIAS和PMOS的偏置电压P_BIAS的高低,使环形振荡器的振荡频率不随电源电压的高低而变化;
所述温度检测电路与偏置电压产生电路连接,偏置电压产生电路与温度检测电路连接。
2.根据权利要求1所述的振荡器,其特征在于,所述温度检测电路包括第一PMOS管PM0、电阻R、NMOS管NMOS_B,第一NMOS管NM0和第二NMOS管NM1,所述第一PMOS管PM0的一端连接零电位参考点,第一PMOS管PM0的另一端与电阻R的一端连接,第一PMOS管PM0的栅极与振荡器使能信号OSC_EN连接,电阻R的另一端与NMOS管NMOS_B的一端连接,NMOS管NMOS_B的另一端接地;电阻R的另一端与偏置电压产生电路连接。
3.根据权利要求2所述的振荡器,其特征在于,所述NMOS管NMOS_B包括第一NMOS管NM0和第二NMOS管NM1,电阻R的另一端与第一NMOS管NM0的漏极连接,第一NMOS管NM0的源极与第二NMOS管NM1的漏极连接,第二NMOS管NM1的源极接地,第一NMOS管NM0的漏极与第一NMOS管NM0的栅极连接,第二NMOS管NM1的漏极与第二NMOS管NM1的栅极连接。
4.根据权利要求1所述的振荡器,其特征在于,所述振荡器电路包括第二PMOS管PM1、第三PMOS管PM2、第四PMOS管PM3、第五PMOS管PM4、第六PMOS管PM5、第七NMOS管NM6、第三NMOS管NM2、第四NMOS管NM3、第五NMOS管NM4、第六NMOS管NM5、第七NMOS管NM6和第八NMOS管NM7,所述第二PMOS管PM1的漏极连接零电位参考点,第二PMOS管PM1的源极与第三PMOS管PM2的漏极连接,第二PMOS管PM1的栅极连接偏置电压产生电路;第三PMOS管PM2的源极与第三NMOS管NM2的漏极连接,第三NMOS管NM2的栅极与第三PMOS管PM2的栅极连接,第三NMOS管NM2的源极与第四NMOS管NM3的漏极连接,第四NMOS管NM3的源极接地,第四NMOS管NM3的栅极连接偏置电压产生电路;第四PMOS管PM3的漏极连接零电位参考点,第四PMOS管PM3的源极与第五PMOS管PM4的漏极连接,第五PMOS管PM4的源极与第五NMOS管NM4的漏极连接,第五NMOS管NM4的栅极与第五PMOS管PM4的栅极连接,第五NMOS管NM4的源极与第六NMOS管NM5的漏极连接,第六NMOS管NM5的源极接地;第六PMOS管PM5的漏极连接零电位参考点,第六PMOS管PM5的源极与第七NMOS管NM6的漏极连接,第七NMOS管NM6的栅极与第七NMOS管NM6的栅极连接,第七NMOS管NM6的源极与第七NMOS管NM6漏极连接,第七NMOS管NM6的源极与第八NMOS管NM7的漏极连接,第八NMOS管NM7的漏极接地;第三PMOS管PM2的栅极和第三NMOS管NM2的栅极连接在一起后与振荡器OSC连接,第六PMOS管PM5的源极和第七NMOS管NM6的漏极连接在一起后与振荡器OSC连接;第二PMOS管PM1的栅极、第四PMOS管PM3的栅极和第六PMOS管PM5的栅极连接在一起;第四NMOS管NM3的栅极、第六NMOS管NM5的栅极、和第八NMOS管NM7的栅极连接在一起;第三PMOS管PM2的源极和第三NMOS管NM2的漏极连接在一起后与第五PMOS管PM4的栅极与第五NMOS管NM4的栅极的连接点连接在一起,第五PMOS管PM4的源极和第五NMOS管NM4的漏极连接与第七NMOS管NM6的栅极与第七NMOS管NM6的栅极连接点连接在一起。
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