[实用新型]一种振荡器及芯片

说明书

本实用新型提供一种振荡器及芯片，通过温度检测电路实时检测环境温度的高低，根据环境温度的高低控制NMOS的偏置电压和PMOS的偏置电压的高低，使环形振荡器的振荡频率不随环境温度的高低而变化，保证芯片的正常运行。

技术领域

本实用新型涉及模拟电路技术领域，尤其涉及的是一种振荡器及芯片。

背景技术

图1为传统的振荡器架构，由偏置电压产生电路和振荡器电路组成。由偏置电压产生电路产生一个NMOS的偏置电压和一个PMOS的偏置电压；振荡器电路的环形振荡器通过NMOS的偏置电压和PMOS的偏置电压控制振荡器的频率。

传统电路的缺点为：当温度变化时，N_BIAS和P_BIAS的电压也会随之变化；当N_BIAS电压升高或P_BIAS电压下降，环形振荡器内的电流变大，充放电时间变短，即环形振荡器的周期变短；当N_BIAS电压下降或P_BIAS电压升高，环形振荡器内的电流变小，充放电时间变长，即环形振荡器的周期变长。这种振荡器架构应用在环境温度变化较大的条件下，缺点会特别的明显，当温度波动较大时，芯片内部的振荡器周期也会发生相应的变化，这可能会导致芯片的时序发生异常；当低温时的时序满足时，高温下由于周期变短，时序可能不满足，芯片无法正常工作；当高温时的时序满足时，低温下由于周期变长，时序出现冗余，可能会导致功耗等增加。

因此，现有技术还有待改进。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种振荡器及芯片，旨在解决现有的振荡器的NMOS的偏置电压和PMOS的偏置电压随温度变化而变化，影响芯片正常运行的问题。

本实用新型的技术方案如下：一种振荡器，其中，包括：

偏置电压产生电路，用于产生NMOS的偏置电压N_BIAS和PMOS的偏置电压P_BIAS；

振荡器电路，包括环形振荡器，所述环形振荡器根据NMOS的偏置电压N_BIAS和PMOS的偏置电压P_BIAS控制自身的振荡频率；

温度检测电路，实时检测环境温度的高低，根据环境温度的高低控制NMOS的偏置电压N_BIAS和PMOS的偏置电压P_BIAS的高低，使环形振荡器的振荡频率不随电源电压的高低而变化；

所述温度检测电路与偏置电压产生电路连接，偏置电压产生电路与温度检测电路连接。

所述的振荡器，其中，所述温度检测电路包括第一PMOS管PM0、电阻R、NMOS管NMOS_B，第一NMOS管NM0和第二NMOS管NM1,所述第一PMOS管PM0的一端连接零电位参考点，第一PMOS管PM0的另一端与电阻R的一端连接，第一PMOS管PM0的栅极与振荡器使能信号OSC_EN连接，电阻R的另一端与NMOS管NMOS_B的一端连接，NMOS管NMOS_B的另一端接地；电阻R的另一端与偏置电压产生电路连接。

所述的振荡器，其中，所述NMOS管NMOS_B包括第一NMOS管NM0和第二NMOS管NM1,电阻R的另一端与第一NMOS管NM0的漏极连接，第一NMOS管NM0的源极与第二NMOS管NM1的漏极连接，第二NMOS管NM1的源极接地，第一NMOS管NM0的漏极与第一NMOS管NM0的栅极连接，第二NMOS管NM1的漏极与第二NMOS管NM1的栅极连接。