[实用新型]一种控制信号电路

说明书

本实用新型涉及电子电路领域，公开了一种控制信号电路，其包括方波信号发生模块、信号转换模块、开关控制模块、防反灌模块、直流电源输出端和设备输入端。信号转换模块与方波信号发生模块连接，信号转换模块分别与开关控制模块和防反灌模块连接。直流电源输出端与设备输入端连接，开关控制模块和防反灌模块串联于直流电源输出端与设备输入端之间。本实用新型通过在控制信号输出端设置信号转换模块来阻止因当单片机损坏及异常输出时产生的高低电平带来的错误控制行为。在电流传输主干路上同时串联开关控制模块和防反灌模块；当其中一个模块发生击穿等损坏后，另一个模块依然能够起到防护的作用，起到双重防护。

技术领域

本实用新型涉及电子电路领域，尤其是一种控制信号电路。

背景技术

在现有的很多电子产品通过单片机芯片来控制其通断电，在使用过程中当单片机异常或损坏时，常常会带来设备损害和安全问题。例如，在充电器的使用上，当充电器需充电时，单片机给出充电信号，当单片机异常或损坏时停止输出，对于一些Low RDS(ON)控制的Mos管不会断开其输出，导致设备(负载)异常损坏和产生安全隐患。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种控制信号电路，当单片机异常或损坏时，能够过滤掉单片机芯片输出的异常信号，对设备或者元器件提供双重防护，不仅能够提高安全隐患而且电路设计简单易行。

为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

本实用新型公开了一种控制信号电路，其包括方波信号发生模块、信号转换模块、开关控制模块、防反灌模块、直流电源输出端和设备输入端。所述信号转换模块与方波信号发生模块连接，用于将产生的方波信号滤波成稳定高电平。所述信号转换模块分别与开关控制模块和防反灌模块连接。所述直流电源输出端与设备输入端连接，开关控制模块和防反灌模块串联于直流电源输出端与设备输入端之间，用于控制电源与设备之间的通断。

进一步地，所述信号转换模块包括电容C10、电阻R35、二极管D11、电阻 R34、三极管Q5、二极管C11、电阻R34A和电阻R34B；所述控制信号发生模块发出端与电容C10一端连接，电容C10的另一端与电阻R35的一端、二极管负极、电阻R34的一端连接；电阻R35的另一端与二极管D11的正极、GND连接；电阻R34的另一端与三极管Q5的基极连接；所述三极管Q5的集电极接有 5V直流电压；三极管Q5的发射极与电阻R34A的一端、电容C11的一端连接，电容C11的另一端与GND连接，电阻R34A的另一端与电阻R34B的第一端连接；电阻R34B的第二端与GND连接；所述三极管Q5为NPN型三极管。

进一步地，所述开关控制模块包括三极管Q7、下拉电阻R34C、上拉电阻 R38和MOS管Q11；所述三极管Q7的基极与所述电阻R34B的第一端连接，三极管Q7的发射极与电阻R34B的第二端连接，三极管Q7的集电极与下拉电阻 R34C的一端连接，下拉电阻R34C的另一端与MOS管的栅极、上拉电阻R38 的一端连接；所述上拉电阻R38的另一端与设备输入端的正极连接；所述MOS 管Q11的源极与电源输入端的正极连接，MOS管Q11的漏极与防反灌模块连接；所述三极管Q7为NPN型三极管，所述MOS管Q11为P沟道增强型场效管。

进一步地，所述防反灌模块包括三极管Q8、电阻R62和MOS管Q12；所述三极管Q8的基极与R34B的第一端连接，发射极与GND连接，集电极与电阻R62、MOS管Q12的栅极连接；所述MOS管Q12的漏极与MOS管Q11的漏极连接，MOS管Q12的源极与设备输入端的正极连接；所述三极管Q8为NPN 型三极管，所述MOS管Q12为P沟道增强型场效管。

进一步地，所述方波信号发生模块采用型号为HT63F的单片机芯片。当开通输出时，单片机芯片输出1KHZ的方波脉冲；当关闭输出时，单片机芯片输出高/低电平。所述单片机芯片中用于输出方波的PB5端口与电容C10的另一端连接。