[实用新型]一种带中心柱的整流桥

权利要求书

1.一种带中心柱的整流桥，包括外壳(2)，其特征在于，所述外壳(2)内设有基板(4)，所述基板(4)上固定连接有绝缘层(5)，所述绝缘层(5)上固定连接有半成品整流桥；所述基板(4)中心设有第一通孔(14)，所述绝缘层(5)中心设有和第一通孔(14)同轴设置的第二通孔(15)，所述第一通孔(14)内固定连接有中心柱(3)，所述中心柱(3)包括一端固定在第一通孔(14)内的内部中空的第一柱体(31)，所述第一柱体(31)远离绝缘层(5)的一端固定连接有内部中空的第二柱体(32)，所述第二柱体(32)和第一柱体(31)同轴设置且第二柱体(32)的内径和第一柱体(31)的内径相等，所述第二柱体(32)的外径大于所述第一柱体(31)的外径。

2.根据权利要求1所述的一种带中心柱的整流桥，其特征在于，所述半成品整流桥包括围绕第二通孔(15)环绕设置的五片铜片桥架，每片铜片桥架上都固定连接有一个引出电极(11)，所述铜片桥架分别为第一铜片桥架(6)、第二铜片桥架(7)、第三铜片桥架(8)、第四铜片桥架(9)、第五铜片桥架(10)；所述第一铜片桥架(6)、第三铜片桥架(8)、第五铜片桥架(10)上分别固定连接有一个二极管芯片(12)，所述第四铜片桥架(9)上固定连接有三个二极管芯片(12)；所述第一铜片桥架(6)、第三铜片桥架(8)、第五铜片桥架(10)上的二极管芯片(12)分别通过跳线(13)和第二铜片桥架(7)连接，所述第四铜片桥架(9)上的其中一个二极管芯片(12)和所述第三铜片桥架(8)之间通过跳线(13)连接，所述第四铜片桥架(9)上的第二个二极管芯片(12)和第一铜片桥架(6)之间通过跳线(13)连接，所述第四铜片桥架(9)上的第三个二极管芯片(12)和所述第五铜片桥架(10)之间通过跳线(13)连接。

3.根据权利要求2所述的一种带中心柱的整流桥，其特征在于，所述第一铜片桥架(6)包括用于安装二极管芯片(12)的第一桥架主体(61)，第一桥架主体(61)侧面固定连接有围绕通孔设置的第一触手部(62)，所述第四铜片桥架(9)上第二个二极管芯片(12)上的跳线(13)与第一触手部(62)固定连接。

4.根据权利要求2所述的一种带中心柱的整流桥，其特征在于，所述第二铜片桥架(7)包括用于固定连接引出电极(11)的第二桥架主体(71)，第二桥架主体(71)面向第二通孔(15)的端部围绕第二通孔(15)向第三铜片桥架(8)方向延伸设置有第二触手部(72)，所述第一铜片桥架(6)、第二铜片桥架(7)上的二极管芯片(12)通过跳线(13)和第二铜片桥架(7)的第二桥架主体(71)固定连接，所述第三铜片桥架(8)上的二极管芯片(12)通过跳线(13)和第二铜片桥架(7)上的第二触手部(72)固定连接。

5.根据权利要求1所述的一种带中心柱的整流桥，其特征在于，所述第一柱体(31)与所述基板连接的一端设有与第一柱体外侧面连通的圆环槽(33)，第一柱体(31)上设有圆环槽(33)的部位嵌入第一通孔(14)内且与第一通孔(14)过盈配合。

6.根据权利要求1所述的一种带中心柱的整流桥，其特征在于，所述第二通孔(15)的孔径大于第一通孔(14)，所述第二通孔(15)的孔径和所述第一柱体(31)的外径相等。

7.根据权利要求1所述的一种带中心柱的整流桥，其特征在于，所述外壳(2)内的绝缘层(5)上部填充有环氧树脂聚合物层(1)，所述环氧树脂聚合物层(1)的顶面高度和所述第二柱体(32)的上端面高度齐平。