[实用新型]托盘及其金属有机化学气相沉积反应器

说明书

一种托盘以及金属有机化学气相沉积反应器，其中，所述托盘，可沿其中心轴转动，具有第一托盘面和设于所述第一托盘面外围的第二托盘面，所述第二托盘面高于第一托盘面，所述第一托盘面内设有一凹陷于所述第一托盘面的基片槽，每个所述基片槽内设置若干个支撑台，所述支撑台用于支撑所处理基片金属有机化学气相沉积反应器能防止飞片提高波长和温度的一致性，能满足显示器的要求。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种托盘及其金属有机化学气相沉积反应器。

背景技术

金属有机化合物化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)反应器包括反应腔、托盘和气体喷淋头，其中，所述托盘位于所述反应腔内底部，可沿其旋转轴转动，所述托盘包括若干个基片槽，各个所述基片槽用于承载待处理基片，所述气体喷淋头用于向反应腔内输送反应气体，所述反应气体用于在待处理基片表面形成外延层。目前，利用所述金属有机化合物化学气相沉积反应器制备的外延层包括：第Ⅲ族元素和第Ⅴ族元素的化合物(如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、GaP等)。

然而，利用现有的金属有机化合物化学气相沉积反应器制作外延层的性能较差，难以满足显示器的性能要求。

发明内容

本实用新型解决的技术问题是提供一种托盘及其金属有机化学气相沉积反应器，以防止待处理基片飞出，还能够提高气流和温度的一致性，能够满足显示器的性能要求。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种托盘，包括：所述托盘，可沿其中心轴转动，具有第一托盘面和设于所述第一托盘面外围的第二托盘面，所述第二托盘面高于第一托盘面，所述第一托盘面内设有一凹陷于所述第一托盘面的基片槽，每个所述基片槽内设置若干个支撑台，所述支撑台用于支撑所述待处理基片。

可选的，所述第二托盘面与第一托盘面的高度差为：50微米～130微米。

可选的，所述支撑台的上表面与第一托盘面之间的高度差使得当所述待处理基片置于所述支撑台时，所述待处理基片的上表面到支撑台对应的上表面具有第一距离，所述第一托盘面到支撑台对应的上表面具有第二距离，所述第一距离减去第二距离的差值为：-80微米～80微米。

可选的，所述第一距离减去第二距离的差值为：-50微米～50微米。

可选的，所述第一距离与第二距离相等。

可选的，所述中心轴与托盘的交点为托盘的旋转中心，所述基片槽包括远心端和近心端，所述远心端到旋转中心的距离大于近心端到旋转中心的距离；所述基片槽还包括基片槽底部，所述支撑台的上表面高于等于基片槽底部。

可选的，所述支撑台的上表面平行于水平面，所述支撑台的上表面高于基片槽底部，所述基片槽底部的凹陷深度沿由旋转中心向托盘边缘延伸的方向逐渐增大。

可选的，所述基片槽底部平行于水平面，所述支撑台的上表面高于基片槽底部，所述远心端的支撑台的上表面高于近心端的支撑台的上表面。

可选的，还包括：设于所述第一托盘面上的至少一个挡块，所述挡块位于所述远心端。

可选的，还包括：设置于所述远心端基片槽内侧壁的隔热材料；所述隔热材料包括：氧化铝、氮化硼、氮化铝或者氧化锆中的一种或者多种组合。

可选的，所述支撑台是由基片槽的内侧壁向基片槽的中心延伸。

可选的，所述支撑台的上表面高于基片槽底部，所述支撑台位于所述基片槽的底部，且所述支撑台与基片槽之间具有间隙。

可选的，还包括：位于所述基片槽远心端内表面的第一发射材料层；位于所述基片槽近心端内表面的第二发射材料层，所述第一发射材料层材料的发射率大于第二发射材料层材料的发射率。

可选的，所述支撑台为基片槽底部。