[实用新型]托盘及其金属有机化学气相沉积反应器有效
| 申请号: | 202022179579.6 | 申请日: | 2020-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN213652636U | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
| 发明(设计)人: | 陶珩;郭泉泳;王家毅;胡建正 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/46;C23C16/455;C23C16/34 |
| 代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 徐雯琼;张静洁 |
| 地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 托盘 及其 金属 有机化学 沉积 反应器 | ||
1.一种托盘,其特征在于,包括:
所述托盘,可沿其中心轴转动,具有第一托盘面和设于所述第一托盘面外围的第二托盘面,所述第二托盘面高于第一托盘面,所述第一托盘面内设有一凹陷于所述第一托盘面的基片槽,每个所述基片槽内设置若干个支撑台,所述支撑台用于支撑待处理基片。
2.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述第二托盘面与第一托盘面的高度差为:50微米~130微米。
3.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述支撑台的上表面与第一托盘面之间的高度差使得当所述待处理基片置于所述支撑台时,所述待处理基片的上表面到支撑台对应的上表面具有第一距离,所述第一托盘面到支撑台对应的上表面具有第二距离,所述第一距离减去第二距离的差值为:-80微米~80微米。
4.如权利要求3所述的托盘,其特征在于,所述第一距离减去第二距离的差值为:-50微米~50微米。
5.如权利要求4所述的托盘,其特征在于,所述第一距离与第二距离相等。
6.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述中心轴与托盘的交点为托盘的旋转中心,所述基片槽包括远心端和近心端,所述远心端到旋转中心的距离大于近心端到旋转中心的距离;所述基片槽还包括基片槽底部,所述支撑台的上表面高于等于基片槽底部。
7.如权利要求6所述的托盘,其特征在于,所述支撑台的上表面平行于水平面,所述支撑台的上表面高于基片槽底部,所述基片槽底部的凹陷深度沿由旋转中心向托盘边缘延伸的方向逐渐增大。
8.如权利要求6所述的托盘,其特征在于,所述基片槽底部平行于水平面,所述支撑台的上表面高于基片槽底部,所述远心端的支撑台的上表面高于近心端的支撑台的上表面。
9.如权利要求6所述的托盘,其特征在于,还包括:设于所述第一托盘面上的至少一个挡块,所述挡块位于所述远心端,用于阻挡所述待处理基片飞出。
10.如权利要求6所述的托盘,其特征在于,还包括:设置于所述远心端基片槽内侧壁的隔热材料;所述隔热材料包括:氧化铝、氮化硼、氮化铝或者氧化锆中的一种或者多种组合。
11.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述支撑台是由基片槽的内侧壁向基片槽的中心延伸。
12.如权利要求6所述的托盘,其特征在于,所述支撑台的上表面高于基片槽底部,所述支撑台位于所述基片槽底部,且所述支撑台与基片槽的侧壁之间具有间隙。
13.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,还包括:位于所述基片槽远心端内表面的第一发射材料层;位于所述基片槽近心端内表面的第二发射材料层,所述第一发射材料层材料的发射率大于第二发射材料层材料的发射率。
14.如权利要求6所述的托盘,其特征在于,所述支撑台为基片槽底部。
15.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述支撑台的上表面与第二托盘面之间的高度差使得当所述待处理基片置于所述支撑台时,所述第二托盘面与待处理基片表面的高度差为:80微米~130微米。
16.如权利要求15所述的托盘,其特征在于,所述第二托盘面与待处理基片的高度差为:100微米~130微米。
17.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述第一托盘面为圆环形,所述圆环形的径向宽度为:0毫米~5毫米。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





