[实用新型]一种防反溅射物剥落的靶材

说明书

本实用新型涉及一种防反溅射物剥落的靶材，所述防反溅射物剥落的靶材的上表面边缘设置有倒角，所述倒角的表面设置有第三滚花花纹区；所述防反溅射物剥落的靶材上表面边缘，由外向内依次有第二滚花花纹区以及第一滚花花纹区；所述第一滚花花纹区中的花纹为四棱台状花纹，花纹大小为10‑30TPI。本实用新型通过对靶材结构进行改进，通过分别设置的第一滚花花纹区、第二滚花花纹区以及第三滚花花纹区来吸附磁控溅射过程中产生的反溅射物，同时结构简单，便于加工，能够以较少成本达到提高靶材溅射寿命的效果。

技术领域

本实用新型属于半导体制造技术领域，涉及一种靶材，尤其涉及一种防反溅射物剥落的靶材。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，磁控溅射是非常重要的一项薄膜形成工艺。其基本原理是在磁控溅射反应器中，以一定能量的粒子轰击固体表面，其表面的原子通过与高能粒子的碰撞获得足够的能量从表面逃逸，然后在电场力或者磁力的作用下向硅片迁移。

上述过程中，被轰击的固体材料被称之为靶材，靶材由背板支撑。靶材的表面包括上表面、下表面以及侧面，靶材的下表面与背板通过焊接连接，靶材的上表面为靶材的溅射面，靶材与背板一起被称为靶材组件。

溅射过程中，靶材溅射面中溅射出的原子除了会沉积在硅片表面，也会沉积在真空腔室内的其他表面上，包括靶材溅射面边缘、靶材侧面以及部分背板表面。溅射一段时间后，靶材和背板的上述表面会出现一些和靶材成分相同的堆积物(反溅射物)，这些堆积物与靶材以及背板表面的附着力不是很大，堆积到一定程度后会由于重力和腔室内电场力与磁场力的作用而剥落下来，形成异常放电而影响溅射环境。

CN 203474887公开了一种靶材组件，包括背板，具有第一凹槽；靶材，与第一凹槽底面焊接连接，靶材侧壁与第一凹槽侧壁形成第二凹槽，所述第二凹槽为环形凹槽；靶材溅射面边缘和高于第一凹槽侧壁的靶材侧壁具有滚花图案；所述第一凹槽侧壁、第二凹槽底面、与第一凹槽侧壁等高的靶材侧壁具有喷丸图案。所述靶材组件利用滚花图案的粗糙度，使大量反溅射物沉积在滚花图案的间隙中，增加了反溅射物在靶材组件上的粘附力，大大减少了反溅射物剥落的情况，避免了高真空腔室内异常放电的情况。但所述靶材组件具有较为复杂的结构，尤其第二凹槽的设置提高了靶材与背板的焊接与脱焊难度。

CN 111270211A公开了一种延长靶材寿命的处理方法，所述处理方法包括：将靶材依次进行抛光处理、滚花处理及喷砂处理，所述处理方法通过抛光处理使靶材表面的粗糙度Ra≤0.4μm，通过依次进行的抛光处理、滚花处理与喷砂处理，使滚花花纹与花纹深度配合，解决了靶材在镀膜过程中的异常溅射问题，从而延长了靶材的使用寿命。但所述处理方法的处理周期较长，需要依次进行抛光处理、滚花处理与喷砂处理，对处理过程的精度要求较高。

针对现有技术的不足，需要提供一种结构简单，且有效防止磁控溅射中反溅射物堆剥落的靶材，避免磁控溅射中因反溅射物剥落导致的异常放电问题，从而保证磁控溅射的质量，并保证靶材的使用寿命。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种防反溅射物剥落的靶材，所述防反溅射物剥落的靶材结构简单，且能够有效防止磁控溅射中反溅射物堆剥落的靶材，避免磁控溅射中因反溅射物剥落导致的异常放电问题，从而保证磁控溅射的质量，并保证靶材的使用寿命。

为达到此实用新型目的，本实用新型采用以下技术方案：

本实用新型提供了一种防反溅射物剥落的靶材，所述防反溅射物剥落的靶材的上表面边缘设置有倒角，所述倒角的表面设置有第三滚花花纹区。

所述防反溅射物剥落的靶材上表面边缘，由外向内依次有第二滚花花纹区以及第一滚花花纹区。

所述第一滚花花纹区中的花纹为四棱台状花纹，花纹大小为10-30TPI。