[实用新型]单晶硅生长用高纯石英热屏

说明书

本实用新型公开了单晶硅生长用高纯石英热屏，沿石墨外导流筒的顶部开口向外侧延伸设有操作环；在石墨外导流筒内部的底面开设有呈向下凹陷状的定位环槽，高纯石英热屏从石墨外导流筒的顶部开口放置入石墨外导流筒的内部且高纯石英热屏的底部嵌入定位环槽的内部；在高纯石英热屏的外壁和石墨外导流筒的内壁之间隔有填充腔，在填充腔的内部填充有石墨碳毡层；在石墨外导流筒和高纯石英热屏的顶部开口处铺盖固定有上压盖，在上压盖的四周设有封闭环。本实用新型保温性能更好且不会对单晶硅产生任何杂质污染；生产过程相对简单，造价较低，既可以节约成本又可提高单晶硅品质，特别适合于规模化推广使用。

技术领域

本实用新型涉及热屏，具体涉及单晶硅生长用高纯石英热屏。

背景技术

现有的单晶硅生长炉中应用的热屏为石墨材料，石墨热屏成本较高，并且在单晶硅生长过程中会造成单晶硅碳含量增加，并且石墨耐高温但是保温性能低于石英。针对上述问题，本方案提出了单晶硅生长用高纯石英热屏。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供单晶硅生长用高纯石英热屏。

根据本实用新型实施例提供的技术方案，单晶硅生长用高纯石英热屏，包括石墨外导流筒，沿所述石墨外导流筒的顶部开口向外侧延伸设有操作环；还包括高纯石英热屏、定位环槽、石墨碳毡层、填充腔；在所述石墨外导流筒内部的底面开设有呈向下凹陷状的所述定位环槽，所述高纯石英热屏从所述石墨外导流筒的顶部开口放置入所述石墨外导流筒的内部且所述高纯石英热屏的底部嵌入所述定位环槽的内部；在所述高纯石英热屏的外壁和石墨外导流筒的内壁之间隔有所述填充腔，在所述填充腔的内部填充有所述石墨碳毡层；在所述石墨外导流筒和高纯石英热屏的顶部开口处铺盖固定有上压盖，在所述上压盖的四周设有封闭环。

本实用新型中，所述石墨外导流筒和高纯石英热屏均为上宽下窄的空腔圆台结构。

本实用新型中，所述定位环槽的四周侧壁与所述高纯石英热屏的四周侧壁的倾斜度相匹配。

本实用新型中，所述高纯石英热屏的高度与石墨外导流筒的筒内高度相匹配。

本实用新型中，所述上压盖的直径与石墨外导流筒的直径相匹配，所述封闭环的宽度为石墨外导流筒的筒壁厚度加上高纯石英热屏的厚度再加上填充腔的宽度的总和。

本实用新型中，所述封闭环的外壁为竖直边，所述封闭环的内壁边为与所述石墨外导流筒的内壁倾斜度相衔接的斜边。

本实用新型中，所述上压盖通过石墨螺栓固定。

综上所述，本实用新型的有益效果：本热屏保温性能更好且不会对单晶硅产生任何杂质污染；生产过程相对简单，造价较低，既可以节约成本又可提高单晶硅品质，特别适合于规模化推广使用。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本实用新型的剖面结构示意图；

图2为本实用新型中石墨外导流筒的剖面结构示意图；

图3为本实用新型中上压盖的剖面结构示意图；

图4为本实用新型中高纯石英热屏的剖面结构示意图。

图中标号：1.石墨外导流筒、2.高纯石英热屏、3.定位环槽、4.石墨碳毡层、5.填充腔、6.上压盖、6.1.封闭环、7.操作环。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。