[实用新型]单晶硅生长用高纯石英热屏有效
| 申请号： | 202022126130.3 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN213327925U | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 贾建亮;贾建恩;代祥斌 | 申请（专利权）人： | 廊坊赫尔劳斯太阳能光伏有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 姚朝权 |
| 地址： | 065300 河北省廊坊*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生长 高纯 石英 | ||
1.单晶硅生长用高纯石英热屏，包括石墨外导流筒(1)，沿所述石墨外导流筒(1)的顶部开口向外侧延伸设有操作环(7)；其特征是：还包括高纯石英热屏(2)、定位环槽(3)、石墨碳毡层(4)、填充腔(5)；在所述石墨外导流筒(1)内部的底面开设有呈向下凹陷状的所述定位环槽(3)，所述高纯石英热屏(2)从所述石墨外导流筒(1)的顶部开口放置入所述石墨外导流筒(1)的内部且所述高纯石英热屏(2)的底部嵌入所述定位环槽(3)的内部；在所述高纯石英热屏(2)的外壁和石墨外导流筒(1)的内壁之间隔有所述填充腔(5)，在所述填充腔(5)的内部填充有所述石墨碳毡层(4)；在所述石墨外导流筒(1)和高纯石英热屏(2)的顶部开口处铺盖固定有上压盖(6)，在所述上压盖(6)的四周设有封闭环(6.1)。
2.根据权利要求1所述的单晶硅生长用高纯石英热屏，其特征是：所述石墨外导流筒(1)和高纯石英热屏(2)均为上宽下窄的空腔圆台结构。
3.根据权利要求1所述的单晶硅生长用高纯石英热屏，其特征是：所述定位环槽(3)的四周侧壁与所述高纯石英热屏(2)的四周侧壁的倾斜度相匹配。
4.根据权利要求1所述的单晶硅生长用高纯石英热屏，其特征是：所述高纯石英热屏(2)的高度与石墨外导流筒(1)的筒内高度相匹配。
5.根据权利要求1所述的单晶硅生长用高纯石英热屏，其特征是：所述上压盖(6)的直径与石墨外导流筒(1)的直径相匹配，所述封闭环(6.1)的宽度为石墨外导流筒(1)的筒壁厚度加上高纯石英热屏(2)的厚度再加上填充腔(5)的宽度的总和。
6.根据权利要求1所述的单晶硅生长用高纯石英热屏，其特征是：所述封闭环(6.1)的外壁为竖直边，所述封闭环(6.1)的内壁边为与所述石墨外导流筒(1)的内壁倾斜度相衔接的斜边。
7.根据权利要求1所述的单晶硅生长用高纯石英热屏，其特征是：所述上压盖(6)通过石墨螺栓固定。
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