[实用新型]一种多道翻转刻蚀收料设备

说明书

一种多道翻转刻蚀收料设备，解决了现有的硅片刻蚀时，硅片与等离子气体接触效果差，不利于硅片的刻蚀的问题，其包括刻蚀箱、放置槽、铰链和密封门，所述刻蚀箱一端的中部设置有进气口，刻蚀箱另一端的中部设置有排气口，刻蚀箱底端的中部安装有伺服电机，刻蚀箱的内部内腔，内腔靠近一端位置处设置有方形盒，方形盒的一侧均匀设置有若干个排气管，伺服电机的顶端安装有转轴，转轴上套接有套筒，套筒的底端设置有固定盘，套筒的顶端通过固定螺栓安装有可拆卸盘，转轴的底端设置有限位盘，转轴的边缘处均匀设置有若干个限位块，本实用新型结构新颖，构思巧妙，使得等离子气体与硅片表面充分接触刻蚀，刻蚀效果好。

技术领域

本实用新型涉及刻蚀收料设备，具体为一种多道翻转刻蚀收料设备。

背景技术

在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀。干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反应(或这两种反应)，从而去掉曝露的表面材料。干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最重要方法。而在湿法腐蚀中，液体化学试剂(如酸、碱和溶剂等)以化学方式去除硅片表面的材料。湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下(大于3微米)。湿法腐蚀仍然用来腐蚀硅片上某些层或用来去除干法刻蚀后的残留物。

硅片在刻蚀时一般会采用干式刻蚀，但现有的硅片刻蚀时，硅片与等离子气体接触效果差，不利于硅片的刻蚀。

实用新型内容

针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本实用新型提供一种多道翻转刻蚀收料设备，有效的解决了现有的硅片刻蚀时，硅片与等离子气体接触效果差，不利于硅片的刻蚀的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：本实用新型包括刻蚀箱、进气口、排气口、连接法兰、伺服电机、内腔、方形盒、排气管、转轴、轴承、套筒、固定盘、固定螺栓、可拆卸盘、限位盘、限位块、限位槽、放置槽、铰链和密封门，所述刻蚀箱一端的中部设置有进气口，刻蚀箱另一端的中部设置有排气口，刻蚀箱底端的中部安装有伺服电机，刻蚀箱的内部内腔，内腔靠近一端位置处设置有方形盒，方形盒的一侧均匀设置有若干个排气管，伺服电机的顶端安装有转轴，转轴上套接有套筒，套筒的底端设置有固定盘，套筒的顶端通过固定螺栓安装有可拆卸盘，转轴的底端设置有限位盘，转轴的边缘处均匀设置有若干个限位块，套筒对应限位块位置处开设有限位槽，固定盘的顶端和可拆卸盘的底端均开设有若干个放置槽。

优选的，所述转轴通过轴承与刻蚀箱连接。

优选的，所述刻蚀箱的顶端通过铰链安装有密封门。

优选的，所述进气口和排气口的一端均设置有连接法兰。

优选的，所述限位块与限位槽设置的数量均为四个，且位置一一对应。

优选的，所述套筒和可拆卸盘对应固定螺栓位置处均开设有螺栓孔。

有益效果：本实用新型使用时，将需要进行刻蚀的硅片放置在固定盘上的放置槽内，并将可拆卸盘上的放置槽对应着硅片卡接在套筒上，并通过固定螺栓进行固定，再将套筒上的限位槽卡接在限位块上，从而将套筒套接在转轴上，并通过限位盘进行限位，使用时，等离子气体由进气口输送给方形盒，再经排气管排出，从而对固定盘和可拆卸盘上放置的硅片进行刻蚀，同时在刻蚀时，伺服电机工作，伺服电机工作带动转轴在轴承的配合下转动，转轴转动带动套筒转动，套筒转动带动其上放置的硅片转动，使得等离子气体与硅片表面充分接触刻蚀，刻蚀效果好，本实用新型结构新颖，构思巧妙，使得等离子气体与硅片表面充分接触刻蚀，刻蚀效果好。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1是本实用新型整体结构示意图；

图2是本实用新型内部结构示意图；