[实用新型]一种多层MEMS结构有效
申请号: | 202022100291.5 | 申请日: | 2020-09-22 |
公开(公告)号: | CN212982461U | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 吴炫烨;关一民 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 刘星 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多层 mems 结构 | ||
本实用新型提供一种多层MEMS结构,该MEMS结构包括自下而上依次堆叠于衬底上的至少两层光敏干膜,所述光敏干膜中设有空腔。本实用新型使用至少两层光敏干膜实现多层MEMS结构,各层结构更为平整,曝光更加均匀,可以减小结构误差,从而提高多层MEMS结构制造的良率。该多层MEMS结构可应用于多种微结构,包括但不限于纳米孔测序芯片。
技术领域
本实用新型属于微机电系统(MEMS)器件加工技术领域,涉及一种多层MEMS结构。
背景技术
微机电系统(Micro Electro Mechanical Systems,简称MEMS)器件具有微型化、智能化、多功能、高集成度和适于大批量生产的特点,其内部结构一般在微米甚至纳米量级,需要超精密机械加工,若结构误差较大,将对器件性能产生不良影响。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种多层MEMS结构,用于解决现有技术中MEMS结构误差较大的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种一种多层MEMS结构,包括:
衬底;
至少两层光敏干膜,自下而上依次堆叠于所述衬底上,所述光敏干膜中设有空腔。
可选地,所述光敏干膜的厚度范围是5微米~1000微米。
可选地,相邻两层所述光敏干膜中的所述空腔连通。
可选地,相邻两层所述光敏干膜中的所述空腔的开口面积不同。
可选地,所述衬底表面设有电极层,位于底层的所述光敏干膜中的所述空腔暴露出所述电极层。
如上所述,本实用新型的多层MEMS结构使用至少两层光敏干膜实现多层MEMS结构,各层结构更为平整,曝光更加均匀,可以减小结构误差,从而提高多层MEMS结构制造的良率。该多层MEMS结构可应用于多种微结构,包括但不限于纳米孔测序芯片。
附图说明
图1显示为一种多层MEMS结构的制作方法的工艺流程图。
图2显示为执行第一次覆膜及图形化步骤的示意图。
图3显示为执行第二次覆膜及图形化步骤的示意图。
图4显示为图3所示结构的俯视图。
图5显示为另一实施例中制作的多层MEMS结构的剖面图。
图6显示为图5所示结构的俯视图。
图7显示为一种多层MEMS结构的设计及制作流程图。
图8显示为一种采用所述多层MEMS结构作为支撑结构的纳米孔测序芯片的剖面结构示意图。
元件标号说明
S1~S2 步骤
1 衬底
2 第一光敏干膜
3 第一空腔
4 第二光敏干膜
401 悬空部分
5 第二空腔
6 磷脂层
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