[实用新型]一种多层MEMS结构有效

专利信息
申请号: 202022100291.5 申请日: 2020-09-22
公开(公告)号: CN212982461U 公开(公告)日: 2021-04-16
发明(设计)人: 吴炫烨;关一民 申请(专利权)人: 上海新微技术研发中心有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 刘星
地址: 201800 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 多层 mems 结构
【说明书】:

实用新型提供一种多层MEMS结构,该MEMS结构包括自下而上依次堆叠于衬底上的至少两层光敏干膜,所述光敏干膜中设有空腔。本实用新型使用至少两层光敏干膜实现多层MEMS结构,各层结构更为平整,曝光更加均匀,可以减小结构误差,从而提高多层MEMS结构制造的良率。该多层MEMS结构可应用于多种微结构,包括但不限于纳米孔测序芯片。

技术领域

本实用新型属于微机电系统(MEMS)器件加工技术领域,涉及一种多层MEMS结构。

背景技术

微机电系统(Micro Electro Mechanical Systems,简称MEMS)器件具有微型化、智能化、多功能、高集成度和适于大批量生产的特点,其内部结构一般在微米甚至纳米量级,需要超精密机械加工,若结构误差较大,将对器件性能产生不良影响。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种多层MEMS结构,用于解决现有技术中MEMS结构误差较大的问题。

为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种一种多层MEMS结构,包括:

衬底;

至少两层光敏干膜,自下而上依次堆叠于所述衬底上,所述光敏干膜中设有空腔。

可选地,所述光敏干膜的厚度范围是5微米~1000微米。

可选地,相邻两层所述光敏干膜中的所述空腔连通。

可选地,相邻两层所述光敏干膜中的所述空腔的开口面积不同。

可选地,所述衬底表面设有电极层,位于底层的所述光敏干膜中的所述空腔暴露出所述电极层。

如上所述,本实用新型的多层MEMS结构使用至少两层光敏干膜实现多层MEMS结构,各层结构更为平整,曝光更加均匀,可以减小结构误差,从而提高多层MEMS结构制造的良率。该多层MEMS结构可应用于多种微结构,包括但不限于纳米孔测序芯片。

附图说明

图1显示为一种多层MEMS结构的制作方法的工艺流程图。

图2显示为执行第一次覆膜及图形化步骤的示意图。

图3显示为执行第二次覆膜及图形化步骤的示意图。

图4显示为图3所示结构的俯视图。

图5显示为另一实施例中制作的多层MEMS结构的剖面图。

图6显示为图5所示结构的俯视图。

图7显示为一种多层MEMS结构的设计及制作流程图。

图8显示为一种采用所述多层MEMS结构作为支撑结构的纳米孔测序芯片的剖面结构示意图。

元件标号说明

S1~S2 步骤

1 衬底

2 第一光敏干膜

3 第一空腔

4 第二光敏干膜

401 悬空部分

5 第二空腔

6 磷脂层

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