[实用新型]一种多层MEMS结构有效
| 申请号： | 202022100291.5 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN212982461U | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 吴炫烨;关一民 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多层 mems 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种多层MEMS结构，其特征在于，包括：
衬底；
至少两层光敏干膜，自下而上依次堆叠于所述衬底上，所述光敏干膜中设有空腔，相邻两层所述光敏干膜中的所述空腔连通。
2.根据权利要求1所述的多层MEMS结构，其特征在于：所述光敏干膜的厚度范围是5微米～1000微米。
3.根据权利要求1所述的多层MEMS结构，其特征在于：相邻两层所述光敏干膜中的所述空腔的开口面积不同。
4.根据权利要求1所述的多层MEMS结构，其特征在于：所述衬底表面设有电极层，位于底层的所述光敏干膜中的所述空腔暴露出所述电极层。
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