[实用新型]异质结太阳能电池

说明书

本实用新型提供了一种异质结太阳能电池，其包括硅衬底，依次设置于所述硅衬底受光面一侧的第一本征非晶层、第一掺杂非晶层、第一透明导电膜层以及第一集电极，依次设置于所述硅衬底背光面一侧的第二本征非晶层、第二掺杂非晶层、第二透明导电膜层以及第二集电极，所述异质结太阳能电池还包括设置于所述第一集电极与所述第一透明导电膜层之间和/或所述第二集电极与所述第二透明导电膜层之间的金属过渡层；本实用新型所提供异质结太阳能电池中金属过渡层的设置可以改善现有技术中低温浆料接触电阻率高的问题，降低了填充因子FF的损失，而且还能在保证电池效率的同时，显著改善相应集电极与相应透明导电膜层之间的焊接拉力。

技术领域

本实用新型涉及光伏制造领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池。

背景技术

异质结太阳能电池是目前一种较为高效的晶硅太阳能电池，其结合了晶体硅电池和硅基薄膜电池的特征，具有制造流程短、工艺温度低、转换效率高和发电量多等优点。由于异质结太阳能电池的温度劣化系数小，且双面发电，在相同面积条件下，每年的发电量可以比普通多晶硅电池高15～30％，因此具有很大的市场潜力。

图1所示为现有技术所涉及异质结太阳能电池的结构示意图，其自受光面一侧朝向背光面一侧依次包括第一集电极51＇、第一透明导电膜层41＇、第一掺杂非晶层31＇、第一本征非晶层21＇、硅衬底10＇、第二本征非晶层22＇、第二掺杂非晶层32＇、第二透明导电膜层42＇、第二集电极52＇。

现有技术中，受限于低温工艺，在采用丝网板印制第一集电极51＇与第二集电极52＇时只能采用低温浆料，低温浆料的导电性能较高温导电浆料的导电性能差，接触电阻率高，如此不利于提高异质结太阳能电池的填充因子FF；此外，异质结太阳能电池制作过程中所涉及的低温浆料由于无高温烧结过程，第一集电极51＇、第二集电极52＇与相应透明导电膜层(即第一透明导电膜层41＇与第二透明导电膜层42＇)之间的焊接拉力存在普遍偏低的问题。

有鉴于此，有必要提供一种改进的技术方案以解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术存在的技术问题之一，为实现上述实用新型目的，本实用新型提供了一种异质结太阳能电池，其具体设计方式如下。

一种异质结太阳能电池，包括硅衬底，依次设置于所述硅衬底受光面一侧的第一本征非晶层、第一掺杂非晶层、第一透明导电膜层以及第一集电极，依次设置于所述硅衬底背光面一侧的第二本征非晶层、第二掺杂非晶层、第二透明导电膜层以及第二集电极，所述异质结太阳能电池还包括设置于所述第一集电极与所述第一透明导电膜层之间和/或所述第二集电极与所述第二透明导电膜层之间的金属过渡层。

进一步，所述金属过渡层包括设置于所述第二集电极与所述第二透明导电膜层之间的背面过渡层，所述背面过渡层包括与所述第二集电极设置位置一致且被所述第二集电极完全覆盖的电极配合区。

进一步，所述背面过渡层还包括与所述电极配合区一体成型且与所述第二集电极镂空区域位置相对应的延伸区。

进一步，所述金属过渡层包括设置于所述第一集电极与所述第一透明导电膜层之间的正面过渡层，所述正面过渡层与所述第一集电极设置位置一致且被所述第一集电极完全覆盖。

进一步，所述金属过渡层的厚度为5-100nm。

进一步，所述金属过渡层的厚度为5-20nm。

进一步，所述第一集电极与所述第二集电极均包括有若干平行间隔设置的副栅，所述第一集电极中相邻两所述副栅的间距大于所述第二集电极中相邻两所述副栅的间距。

进一步，所述第一本征非晶层与所述第一掺杂非晶层厚度之和小于所述第二本征非晶层与所述第二掺杂非晶层厚度之和。

进一步，所述第一本征非晶层与所述第一掺杂非晶层厚度之和为6-21nm，所述第二本征非晶层与所述第二掺杂非晶层厚度之和为7-30nm。