[实用新型]异质结太阳能电池

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池，包括硅衬底，依次设置于所述硅衬底受光面一侧的第一本征非晶层、第一掺杂非晶层、第一透明导电膜层以及第一集电极，依次设置于所述硅衬底背光面一侧的第二本征非晶层、第二掺杂非晶层、第二透明导电膜层以及第二集电极，其特征在于，所述异质结太阳能电池还包括设置于所述第一集电极与所述第一透明导电膜层之间和/或所述第二集电极与所述第二透明导电膜层之间的金属过渡层。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述金属过渡层包括设置于所述第二集电极与所述第二透明导电膜层之间的背面过渡层，所述背面过渡层包括与所述第二集电极设置位置一致且被所述第二集电极完全覆盖的电极配合区。

3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述背面过渡层还包括与所述电极配合区一体成型且与所述第二集电极镂空区域位置相对应的延伸区。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述金属过渡层包括设置于所述第一集电极与所述第一透明导电膜层之间的正面过渡层，所述正面过渡层与所述第一集电极设置位置一致且被所述第一集电极完全覆盖。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述金属过渡层的厚度为5-100nm。

6.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述金属过渡层的厚度为5-20nm。

7.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一集电极与所述第二集电极均包括有若干平行间隔设置的副栅，所述第一集电极中相邻两所述副栅的间距大于所述第二集电极中相邻两所述副栅的间距。

8.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层与所述第一掺杂非晶层厚度之和小于所述第二本征非晶层与所述第二掺杂非晶层厚度之和。

9.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层与所述第一掺杂非晶层厚度之和为6-21nm，所述第二本征非晶层与所述第二掺杂非晶层厚度之和为7-30nm。

10.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层的厚度小于或等于所述第二本征非晶层的厚度，所述第一掺杂非晶层的厚度小于或等于所述第二掺杂非晶层的厚度。

11.根据权利要求10所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶层的厚度为3-15nm，所述第二掺杂非晶层的厚度为3-20nm。

12.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电膜层的厚度小于或等于所述第二透明导电膜层的厚度。