[实用新型]一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜及太阳能电池

说明书

本实用新型公开一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜及太阳能电池，背面钝化膜包括由内向外依次沉积在太阳能硅片背面的AlO_X层、SiO_XN_Y层和SiN_X层，所述AlO_X层、SiO_XN_Y层和SiN_X层均为一层或多层结构，所述AlO_X层单层的厚度范围为1‑50nm，所述SiN_X层单层的厚度范围为60‑200nm，SiO_XN_Y层单层的厚度范围为10‑80nm。本实用新型提供的叠层介质钝化膜，具有更好的化学钝化效果，形成的表面缺陷态更少，可有效减少背面的载流子复合；并且SiO_XN_Y具有高反射率的特点，可有效反射透射光，加强对入射进硅基体的长波光的反射，反射率增加，Uoc和Isc提高，从而提升了太阳电池效率。

技术领域

本实用新型涉及光伏组件领域，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜及太阳能电池。

背景技术

随着电池正面的性能由于局限于浆料的更新换代及钝化接触技术的复杂性，正面的优化进展较慢，而背面的钝化接触及近红外光学的优化仍然有一定空间去发掘。背面钝化技术及长波响应最典型的模型就是太阳能电池，通常情况下业内采用AlOx/SiN_X组成的叠层介质钝化膜来对电池背面进行钝化，由于AlOx层自身携带丰富的固定负电荷，可以有效阻止少子电子到达背表面形成复合，降低背面SRV，起到场钝化的效果，另外同时会有内反射光学增益。目前，单纯利用AlOx/SiN_X进行钝化后的电池背面饱和暗电流密度可达到30FA/cm2，背面反射率低，因此化学钝化和长波响应尚有很大的优化空间，以求进一步降低电池背面饱和暗电流密度，提高背面反射率。

实用新型内容

为了解决现有技术中存在的问题，本实用新型提供了一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜及太阳能电池，可有效强化单纯镀AlO_X/SiN_X组成的叠层介质钝化膜的缺陷，有效改善对光的长波响应，同时加强背面悬挂键的化学钝化效果，所述技术方案如下：

本实用新型提供一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其包括由内向外依次沉积在太阳能硅片背面的AlO_X层、SiO_XN_Y层和SiN_X层，所述AlO_X层、SiO_XN_Y层和SiN_X层均为一层或多层结构，所述AlO_X层单层的厚度范围为1-50nm，所述SiN_X层单层的厚度范围为60-200nm，所述SiO_XN_Y层单层的厚度范围为10-80nm。

进一步地，所述太阳能硅片为P型硅片。

本实用新型还提供一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其包括沉积在太阳能硅片背面的AlO_X层以及沉积在AlO_X层表面的钝化层，所述钝化层由至少一个SiO_XN_Y层与至少一个SiN_X层交替沉积形成，其中，沉积在所述AlO_X层表面的第一层为SiO_XN_Y层，所述AlO_X层为一层或多层结构。

进一步地，所述AlO_X层单层的厚度范围为1-50nm，所述SiN_X层单层的厚度范围为60-200nm，所述SiO_XN_Y层单层的厚度范围为10-80nm。

进一步地，所述太阳能硅片为P型硅片。