[实用新型]一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜及太阳能电池

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其特征在于，包括由内向外依次沉积在太阳能硅片(1)背面的AlO_X层(2)、SiO_XN_Y层(3)和SiN_X层(4)，所述AlO_X层(2)、SiO_XN_Y层(3)和SiN_X层(4)均为一层或多层结构，所述AlO_X层(2)单层的厚度范围为1-50nm，所述SiN_X层(4)单层的厚度范围为60-200nm，所述SiO_XN_Y层(3)单层的厚度范围为10-80nm。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其特征在于，所述太阳能硅片(1)为P型硅片。

3.一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其特征在于，包括沉积在太阳能硅片(1)背面的AlO_X层(2)以及沉积在AlO_X层(2)表面的钝化层，所述钝化层由至少一个SiO_XN_Y层(3)与至少一个SiN_X层(4)交替沉积形成，其中，沉积在所述AlO_X层(2)表面的第一层为SiO_XN_Y层(3)，所述AlO_X层(2)为一层或多层结构。

4.根据权利要求3所述的晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其特征在于，所述AlO_X层(2)单层的厚度范围为1-50nm，所述SiN_X层(4)单层的厚度范围为60-200nm，所述SiO_XN_Y层(3)单层的厚度范围为10-80nm。

5.根据权利要求3所述的晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其特征在于，所述太阳能硅片(1)为P型硅片。

6.一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其特征在于，包括沉积在太阳能硅片(1)背面的AlO_X层(2)以及沉积在AlO_X层(2)表面的钝化层，所述钝化层由至少一个SiN_X层(4)与至少一个SiO_XN_Y层(3)交替沉积形成，其中，沉积在所述AlO_X层(2)表面的第一层为SiN_X层(4)，所述AlO_X层(2)为一层或多层结构。

7.根据权利要求6所述的晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其特征在于，所述AlO_X层(2)单层的厚度范围为1-50nm，所述SiN_X层(4)单层的厚度范围为60-200nm，所述SiO_XN_Y层(3)单层的厚度范围为10-80nm。

8.根据权利要求6所述的晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其特征在于，所述太阳能硅片(1)为P型硅片。

9.一种太阳能电池，其特征在于，包括太阳能硅片(1)、由内向外依次沉积在太阳能硅片(1)正面的扩散层(5)、SiN_X减反层(6)和Ag层(7)、以及沉积在太阳能硅片(1)背面的如权利要求1-2任意一项所述的背面钝化膜，所述SiN_X层(4)远离SiO_XN_Y层(3)的一面沉积有Al-LBSF层(8)。

10.一种太阳能电池，其特征在于，包括太阳能硅片(1)、由内向外依次沉积在太阳能硅片(1)正面的扩散层(5)、SiN_X减反层(6)和Ag层(7)、以及沉积在太阳能硅片(1)背面的如权利要求3-8任意一项所述的背面钝化膜，所述背面钝化膜包括AlO_X层(2)与沉积在AlO_X层(2)上的钝化层，所述钝化层远离AlO_X层(2)的一面沉积有Al-LBSF层(8)。