[实用新型]一种冷壁法CVD沉积装置

说明书

本实用新型公开了一种冷壁法CVD沉积装置，包括底座、沉积管、马达和弹性块，所述底座的底表面固定安装有沉积箱，沉积箱的顶端内部贯穿安装有沉积管，所述沉积管的内部中间固定安装有轴座，轴座中间设有框架，且框架通过轴杆转动安装在轴座的中间，所述框架的内部开设有嵌口，嵌口的内部一侧开设有第二凹口，嵌口的内部另一侧设有第一凹口，第一凹口开设在抵板的内部。本实用新型在沉积管的内部中间固定安装了一个可翻转的框架，将需要加工的晶片嵌入固定在框架内部，在沉积加工晶片一面后工作人员可控制马达转动框架使其晶片另一面可被加工，达到了方便工作人员使用以及节省时力和材料的效果。

技术领域

本实用新型涉及CVD沉积装置技术领域，具体为一种冷壁法CVD沉积装置。

背景技术

CVD设备主要次啊用气相沉积法，其气相沉积法是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。

现有的晶片在加工时就需要将晶片放置在沉积管内部，对沉积管内部注入两种或者两种以上的气体至其内部，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上，但是只能沉积一面，需要人工二次翻面对其另一面进行沉积加工，这样比较麻烦，且打开沉积管容易使内部气体泄漏，需要二次注入重新加工，浪费材料。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种冷壁法CVD沉积装置，具备电动翻面无需人工二次翻面方便其操作且节约时力和材料的优点，解决了以往需要人工二次翻面对其另一面进行沉积加工，这样比较麻烦，且打开沉积管容易使内部气体泄漏，需要二次注入重新加工，浪费材料的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种冷壁法CVD沉积装置，包括底座、沉积管、马达和弹性块，所述底座的底表面固定安装有沉积箱，沉积箱的顶端内部贯穿安装有沉积管，所述沉积管的内部中间固定安装有轴座，轴座中间设有框架，且框架通过轴杆转动安装在轴座的中间，所述框架的内部开设有嵌口，嵌口的内部一侧开设有第二凹口，嵌口的内部另一侧设有第一凹口，第一凹口开设在抵板的内部。

优选的，所述抵板的固定安装在弹性块的一端，弹性块的另一端固定安装在嵌口的内部一侧。

优选的，所述弹性块由内柱插入套柱内组成，并且在套柱内部固定安装有弹簧。

优选的，所述底座的底表面设有万向轮，且万向轮设有四个，四个万向轮呈矩形分布。

优选的，所述轴杆的一端套有皮带的一端，皮带的另一端套在马达的输出端，且马达固定安装在沉积箱的顶端内部。

优选的，所述马达和沉积管之间固定安装有隔板，隔板的内部填充有玻璃纤维。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

1、本实用新型通过轴座和轴杆的配合，使框架可以进行转动，达到了转动框架便于内部固定的晶片进行翻面的效果，通过设置马达，使框架可以进行转动，达到了动力输出的效果。

2、本实用新型通过设置嵌口，使需要沉积加工的晶片可以卡在其内，达到了提供加工放置位置的效果，通过第一凹口和第二凹口的配合，使卡在嵌口内部的晶片两端可以被卡入其内，达到了卡住固定晶片的效果。

3、本实用新型通过设置弹性块，使抵板可以根据当前晶片的大小去调整位置，达到了弹性抵住固定的效果。

附图说明

图1为本实用新型的主视外观结构示意图；

图2为本实用新型的俯视内部结构示意图；

图3为本实用新型的框架放大结构示意图。