[实用新型]汞灯箱结构

说明书

本实用新型公开了一种汞灯箱结构，其用于半导体硅片边缘曝光工艺，包括：灯箱体用于容置汞灯，其底壁上形成有可调光圈，其一侧壁上形成有灯箱门；汞灯固定在可调光圈上方的灯箱体顶壁上；照度传感器安装在灯箱体内，其用于检测汞灯照度；温度传感器安装在灯箱体内，其用于灯箱体内温度；电源控制面板安装在灯箱体外侧壁上，其用于控制各用电部件的电源；显示装置安装在灯箱体外侧壁上，其用于显示照度传感器和/或温度传感器采集参数。本实用新型能实时监控汞灯寿命，能避免晶圆传送至于光刻位置后才发现照度不足产生非计划性宕机的情况。

技术领域

本实用新型涉及集成电路生产领域，特别是涉及一种用于半导体硅片边缘曝光工艺的汞灯箱结构。

背景技术

光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。光刻工艺主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。在涂胶和烘烤完成后，晶圆被传送到边缘曝光单元。边缘曝光单元也是匀胶显影机的一部分。晶圆的边缘部分被曝光，激发光化学反应。这样在最后显影时，边缘的光刻胶就与曝光图形同时溶解在显影液里。

目前TEL Track机台WEE汞灯系统，参考图1所示，主要包括：汞灯灯箱、光纤、瀑光头和挡片。当执行WEE工艺作业时，挡片打开，UV传感器测量照度是否达到工艺设置值，如果数值不符，通过调整灯箱光圈开度，使照度符合工艺设定值，晶圆传送至单元，完成工艺作业。在实际的生产过程中，WEE灯箱内的汞灯是会逐步衰减的，在寿命末期，将无法提供足够的光强，完成工艺需求，所以汞灯是固定消耗品。目前汞灯的监控只有机台自身的UVsensor在作业开始时去测量照度来确认，一旦汞灯照度无法满足工艺需求，就会产生非计划性宕机。而固定的汞灯寿命时数设置，因汞灯个体的性能差异，具有不确定性，为光刻生产带来不确定性。

实用新型内容

在实用新型内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本实用新型的实用新型内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本实用新型要解决的技术问题是提供一种用于半导体硅片边缘曝光工艺能实时监控汞灯寿命的汞灯箱结构。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的汞灯箱结构，其用于半导体硅片边缘曝光工艺，包括：

灯箱体，其用于容置汞灯，其底壁上形成有可调光圈，其一侧壁上形成有灯箱门；

汞灯，其固定在可调光圈上方的灯箱体顶壁上；

照度传感器，其安装在灯箱体内，其用于检测汞灯照度；

温度传感器，其安装在灯箱体内，其用于灯箱体内温度；

电源控制面板，其安装在灯箱体外侧壁上，其用于控制各用电部件的电源；

显示装置，其安装在灯箱体外侧壁上，其用于显示照度传感器和/或温度传感器采集参数。

可选择的，进一步改进所述的汞灯箱结构，还包括：

第一报警灯，其连接照度传感器，其用于接收照度传感器的触发信号发出灯光报警；

其中，照度传感器设有照度阈值，当照度传感器采集参数小于照度阈值，则照度传感器发出触发信号。

可选择的，进一步改进所述的汞灯箱结构，还包括：

第二报警灯，其连接温度传感器，其用于接收温度传感器的触发信号发出灯光报警；

其中，温度传感器设有温度阈值，当温度传感器采集参数大于温度阈值，则温度传感器发出触发信号。