[实用新型]二极管

说明书

本申请实施例提供了一种二极管，包括：第一导电类型的衬底，所述衬底包括块晶圆或由以下任意一种方法制成的晶圆：中子嬗变掺杂法、直拉法、区熔法、直拉区熔法和磁控拉晶法，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面；位于所述衬底的第一表面上的第一导电类型阱区；位于所述衬底的第二表面上的第二导电类型阱区；位于所述第一导电类型阱区上的第一电极层；位于所述第二导电类型阱区上的第二电极层；其中，所述第一导电类型和所述第二导电类型中，其中一个为N型，另一个为P型。根据本申请实施例提供的二极管，能够降低二极管的生产成本。

技术领域

本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种二极管。

背景技术

二极管作为最早诞生的半导体器件之一，应用非常广泛。例如在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。

随着科技和经济的蓬勃发展，二极管的需求量也越来越大。那么，相应地便需要考虑二极管的成本问题。现有的二极管的生产过程中，通常使用一些价格较为昂贵的晶圆来作为生产二极管的原料，例如背面扩散晶圆 (back diffused wafer，简称BD wafer)，由于原料价格昂贵，致使二极管的生产成本居高不下。

实用新型内容

本申请实施例提供一种二极管，能够解决现有的二极管的生产成本高昂的技术问题。

第一方面，本申请实施例提供一种二极管，二极管包括：

第一导电类型的衬底，所述衬底包括块晶圆或由以下任意一种方法制成的晶圆：中子嬗变掺杂法、直拉法、区熔法、直拉区熔法和磁控拉晶法，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面；

位于所述衬底的第一表面上的第一导电类型阱区；

位于所述衬底的第二表面上的第二导电类型阱区；

位于所述第一导电类型阱区上的第一电极层；

位于所述第二导电类型阱区上的第二电极层；

其中，所述第一导电类型和所述第二导电类型中，其中一个为N型，另一个为P型。

在一个实施例中，所述二极管还包括：

第二导电类型的浮空场限环，所述浮空场限环由第二表面向衬底内部延伸设置、且位于第二导电类型阱区周围。

在一个实施例中，所述二极管还包括：

第一导电类型的电场截止环，所述电场截止环由所述第二表面向所述衬底内部延伸设置、且位于所述第二导电类型阱区周围。

在一个实施例中，所述二极管包括耐压值大于或等于800V的二极管。

在一个实施例中，第二导电类型阱区为在去除目标厚度的衬底的第二表面上形成。

在一个实施例中，所述目标厚度大于或等于所述第一导电类型阱区的深度。

在一个实施例中，所述二极管还包括：

位于所述第二表面上的氧化层，所述氧化层覆盖所述第一导电类型电场截止环和部分所述第二导电类型阱区。

在一个实施例中，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P 型。

在另一个实施例中，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为 N型。