[实用新型]二极管有效
| 申请号： | 202022006235.5 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN213124448U | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 尹江龙;章剑锋;向军利 | 申请（专利权）人： | 瑞能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 赵秀芹 |
| 地址： | 330052 江西省南昌市南昌县*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二极管 | ||
1.一种二极管，其特征在于，所述二极管包括：
第一导电类型的衬底，所述衬底包括块晶圆或由以下任意一种方法制成的晶圆：中子嬗变掺杂法、直拉法、区熔法、直拉区熔法和磁控拉晶法，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面；
位于所述衬底的第一表面上的第一导电类型阱区；
位于所述衬底的第二表面上的第二导电类型阱区；
位于所述第一导电类型阱区上的第一电极层；
位于所述第二导电类型阱区上的第二电极层；
其中，所述第一导电类型和所述第二导电类型中，其中一个为N型，另一个为P型。
2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述二极管还包括：
第二导电类型的浮空场限环，所述浮空场限环由第二表面向衬底内部延伸设置、且位于第二导电类型阱区周围。
3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述二极管还包括：
第一导电类型的电场截止环，所述电场截止环由所述第二表面向所述衬底内部延伸设置、且位于所述第二导电类型阱区周围。
4.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述二极管包括耐压值大于或等于800V的二极管。
5.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，第二导电类型阱区为在去除目标厚度的衬底的第二表面上形成。
6.根据权利要求5所述的二极管，其特征在于，所述目标厚度大于或等于所述第一导电类型阱区的深度。
7.根据权利要求2所述的二极管，其特征在于，所述二极管还包括：
位于所述第二表面上的氧化层，所述氧化层覆盖所述第一导电类型电场截止环和部分所述第二导电类型阱区。
8.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
9.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
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