[实用新型]一种扩散炉

说明书

本实用新型提供一种扩散炉，包括扩散炉管和进气管路，该进气管路用于向扩散炉管中通入工艺气体，该进气管路具有位于扩散炉管中的第一出气口和第二出气口，该第一出气口和该第二出气口沿扩散炉管的轴线方向存在预设距离。在本实用新型中，工艺气体能够通过第一出气口和第二出气口同时由扩散炉管内部的两不同位置注入扩散炉管中，提高了工艺气体在扩散炉管中各处浓度的均匀性，从而提高了对大硅片进行扩散工艺时炉中各硅片表面工艺效果的均匀性以及产品良率。

技术领域

本实用新型涉及半导体工艺设备领域，具体地，涉及一种扩散炉。

背景技术

随着光伏行业的飞速发展，硅片的尺寸也在随之不断扩大，从原来的156.75mm、158.75mm、163mm、166mm发展到现在的210mm尺寸。同时，尺寸不断扩大的硅片对生产设备也提出了更高的要求，过去用于生产较小尺寸硅片的设备无法进行大硅片的生产，这不仅对设备生产企业的新产品开发产生了影响，也使光伏企业面临产品线升级与生产成本之间的抉择。

同时，大尺寸硅片的加工过程中常出现加工设备内部气体浓度不均匀的问题，导致加工设备中不同区域的硅片的工艺效果均匀性较差，产品良率低。

实用新型内容

本实用新型旨在提供一种扩散炉，该扩散炉能够提高对大硅片进行扩散工艺时炉中各硅片表面工艺效果的均匀性，进而提高产品良率。

为实现上述目的，本实用新型提供一种扩散炉，包括扩散炉管，所述扩散炉还包括进气管路，所述进气管路用于向所述扩散炉管中通入工艺气体，所述进气管路具有位于所述扩散炉管中的第一出气口和第二出气口，所述第一出气口和所述第二出气口沿所述扩散炉管的轴线方向存在预设距离。

可选地，所述进气管路包括第一进气管和第二进气管，所述第一进气管具有所述第一出气口，所述第二进气管具有所述第二出气口，且所述第一进气管的第一出气口与所述第二进气管的第二出气口均穿过所述扩散炉管的尾部进入所述扩散炉管，所述第一进气管的第一出气口靠近所述扩散炉管的管口设置，所述第二进气管的第二出气口靠近所述扩散炉管的尾部设置。

可选地，所述扩散炉管的管口的内径为440mm至460mm。

可选地，所述扩散炉还包括排气管，所述排气管的进气端穿过所述扩散炉管的尾部并进入所述扩散炉管，所述排气管的出气口位置低于所述排气管的进气端，且所述排气管的延伸方向与水平方向之间存在夹角，所述夹角大于等于1°。

可选地，所述扩散炉还包括温度检测棒，所述温度检测棒的一端穿过所述扩散炉管的尾部并进入所述扩散炉管，且所述温度检测棒上具有多个间隔分布的温度检测部。

可选地，所述温度检测棒上具有6个所述温度检测部，且6个所述温度检测部等间隔分布。

可选地，所述扩散炉管包括直管部和与所述直管部一端固定连接的圆底部，所述进气管路的第一出气口和第二出气口均穿过所述圆底部进入所述扩散炉管，所述扩散炉还包括法兰盘，所述法兰盘固定安装在所述圆底部背离所述直管部的一侧。

可选地，所述直管部与所述圆底部焊接连接。

可选地，所述扩散炉还包括至少一个堵头，所述圆底部上形成有至少一个沿厚度方向贯穿所述圆底部的预留孔，所述堵头可拆卸地设置在所述预留孔中。

可选地，其特征在于，所述扩散炉管的材料为石英。

在本实用新型提供的扩散炉中，进气管路的第一出气口和第二出气口沿扩散炉管的轴线方向存在预设距离，从而在开始扩散工艺并向扩散炉管中注入工艺气体时，工艺气体通过该第一出气口和该第二出气口同时由扩散炉管内部的两不同位置注入扩散炉管中，不会因工艺气体注入位置偏向一侧而导致两侧工艺气体浓度不均，提高了工艺气体在扩散炉管中各处浓度的均匀性，从而提高了对大硅片进行扩散工艺时炉中各硅片表面工艺效果的均匀性，进而提高了产品良率。

附图说明