[实用新型]一种扩散炉有效
申请号: | 202022001813.6 | 申请日: | 2020-09-14 |
公开(公告)号: | CN212934644U | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 李苗苗 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B31/16 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 扩散 | ||
1.一种扩散炉,包括扩散炉管,其特征在于,所述扩散炉还包括进气管路,所述进气管路用于向所述扩散炉管中通入工艺气体,所述进气管路具有位于所述扩散炉管中的第一出气口和第二出气口,所述第一出气口和所述第二出气口沿所述扩散炉管的轴线方向存在预设距离。
2.根据权利要求1所述的扩散炉,其特征在于,所述进气管路包括第一进气管和第二进气管,所述第一进气管具有所述第一出气口,所述第二进气管具有所述第二出气口,且所述第一进气管的第一出气口与所述第二进气管的第二出气口均穿过所述扩散炉管的尾部进入所述扩散炉管,所述第一进气管的第一出气口靠近所述扩散炉管的管口设置,所述第二进气管的第二出气口靠近所述扩散炉管的尾部设置。
3.根据权利要求1所述的扩散炉,其特征在于,所述扩散炉管的管口的内径为440mm至460mm。
4.根据权利要求1所述的扩散炉,其特征在于,所述扩散炉还包括排气管,所述排气管的进气端穿过所述扩散炉管的尾部并进入所述扩散炉管,所述排气管的出气口位置低于所述排气管的进气端,且所述排气管的延伸方向与水平方向之间存在夹角,所述夹角大于等于1°且小于10°。
5.根据权利要求1所述的扩散炉,其特征在于,所述扩散炉还包括温度检测棒,所述温度检测棒的一端穿过所述扩散炉管的尾部并进入所述扩散炉管,且所述温度检测棒上具有多个间隔分布的温度检测部。
6.根据权利要求5所述的扩散炉,其特征在于,所述温度检测棒上具有6个所述温度检测部,且6个所述温度检测部等间隔分布。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的扩散炉,其特征在于,所述扩散炉管包括直管部和与所述直管部一端固定连接的圆底部,所述进气管路的第一出气口和第二出气口均穿过所述圆底部进入所述扩散炉管,所述扩散炉还包括法兰盘,所述法兰盘固定安装在所述圆底部背离所述直管部的一侧。
8.根据权利要求7所述的扩散炉,其特征在于,所述直管部与所述圆底部焊接连接。
9.根据权利要求7所述的扩散炉,其特征在于,所述扩散炉还包括至少一个堵头,所述圆底部上形成有至少一个沿厚度方向贯穿所述圆底部的预留孔,所述堵头可拆卸地设置在所述预留孔中。
10.根据权利要求1至6中任意一项所述的扩散炉,其特征在于,所述扩散炉管的材料为石英。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的