[实用新型]一种高功率高速频闪的LED光源器

说明书

本发明创造涉及一种高功率高速频闪的LED光源器，包括壳体、可拆卸连接在壳体前端的镜头模块、对应镜头模块设置在壳体内的LED芯片和设置在壳体内并与LED芯片电连接的频闪驱动电路；通过频闪驱动电路使得LED芯片能够以高电流低占空比频闪运行，有效提高LED芯片的瞬时发光亮度；频闪驱动电路通过设置由若干个不同电容值的电容并联构成电容模块，有效提高频闪驱动电路输出的电压稳定性，从而提升LED芯片的发光稳定性，满足高速摄影短曝光时间拍摄工况的亮度需求。

【技术领域】

本发明创造涉及LED光源器技术领域，特别是一种高功率高速频闪的LED光源器。

【背景技术】

随着高速成像技术往高频率、短曝光时间方向发展，其对与之匹配的光源性能也提出了更高的要求。随着LED芯片技术的发展，单片LED芯片的发光功率越来越高，这使得LED光源逐渐成为激光光源的有力替代产品。相比于激光光源，LED光源有着成本低，使用寿命长，发光亮度稳定性好等优点。低占空比频闪运行工况可进一步提升单片LED芯片的瞬时发光功率，使得LED芯片能够在超出额定电压数倍的工况下安全运行，可进一步扩展LED光源在光学诊断领域的应用范围。目前受到相关出口法规的限制，国内可使用的进口高速相机的最高拍摄频率为200000Hz，最短曝光时间为1μs。要实现使用高速相机最短曝光时间（1μs）拍摄，所需光源的亮度较高，普通工况运行的LED芯片亮度无法满足短曝光时间拍摄的亮度需求，因此本发明创造将弥补国内的技术空白。

【发明内容】

为解决上述问题，本发明创造提供一种高功率高速频闪的LED光源器，满足高速摄影短曝光时间拍摄工况的亮度需求。

为实现上述目的，本发明创造提供如下技术方案：

一种高功率高速频闪的LED光源器，包括壳体1、可拆卸连接在所述壳体1前端的镜头模块2、对应所述镜头模块2设置在所述壳体1内的LED芯片3和设置在所述壳体1内并与所述LED芯片3电连接的频闪驱动电路。

作为优选实施方式，进一步限定为：所述频闪驱动电路包括驱动芯片U1、MOS管M1和电容模块，所述驱动芯片U1的输入端通过TTL信号输入端口4外接信号，所述驱动芯片U1的输出端通过MOS管M1与LED芯片3的负极连接，所述壳体1的后端设置有LED电源输入端口5，所述电容模块的一端分两路，一路与所述LED电源输入端口5电连接，另一路与所述LED芯片3的正极连接，所述电容模块的另一端接地。

作为优选实施方式，进一步限定为：所述电容模块主要由若干个不同电容值的电容并联构成。

作为优选实施方式，进一步限定为：所述电容模块包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4和电容C5，所述电容C1、电容C2、电容C3、电容C4和电容C5并联。

作为优选实施方式，进一步限定为：所述驱动芯片U1具有八个引脚，所述驱动芯片U1的第一引脚VDD和第八引脚VDD端外接电源，所述驱动芯片U1的第二引脚IN端与所述TTL信号输入端口4连接，所述驱动芯片U1的第四引脚AGND接地；所述驱动芯片U5的第五引脚PGND分两路，一路通过并联的电容C6和电容C7外接电源，另一路接地；所述驱动芯片U5的第六引脚OUT端和第七引脚OUT端通过电阻R1与MOS管M1的G极连接。

作为优选实施方式，进一步限定为：所述MOS管M1的S极接地，所述MOS管M1的D极通过功率电阻与LED芯片3的负极连接；所述功率电阻的两端外接接线端口P1。

作为优选实施方式，进一步限定为：该高功率高速频闪的LED光源器还包括二极管D1，所述二极管D1的正极与MOS管M1的D极和功率电阻之间的结点连接，所述二极管D1的负极与LED芯片3的正极连接。

作为优选实施方式，进一步限定为：所述驱动芯片U1选用栅极驱动器。