[实用新型]湿法花篮有效
申请号: | 202021976295.3 | 申请日: | 2020-09-10 |
公开(公告)号: | CN212625521U | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 谢毅;王亚楠;王斯海;王广华;李冬玫 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(眉山)有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 吕露 |
地址: | 620000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 湿法 花篮 | ||
本申请提供一种湿法花篮,属于太阳能电池片生产设备领域。一种湿法花篮包括第一支撑板、第二支撑板及设于第一支撑板和第二支撑板间的多个花篮杆。多个花篮杆围成用于容置硅片的容置腔,容置腔有用于硅片进出容置腔的容置开口。每个花篮杆朝向容置腔的一侧沿轴向间隔设多个花篮齿,每个花篮杆任意相邻两个花篮齿之具有用于容置硅片边缘的容置槽,花篮杆之间容置槽对应设置。另一种湿法花篮包括第一支撑板、第二支撑板及设于第一支撑板和第二支撑板间的多个花篮杆。多个花篮杆围成用于容置硅片的容置腔,容置腔有用于硅片进出容置腔的容置开口。花篮杆为碳纤棒、横截面为圆形、直径为15‑25mm。能够有效减少飘篮现象和硅片移位现象的出现。
技术领域
本申请涉及太阳能电池片生产设备领域,具体而言,涉及一种湿法花篮。
背景技术
现有技术中,太阳能电池片在制绒段,通过湿法花篮将硅片带入各个酸碱工艺槽中进行处理。在机械手将花篮送入工艺槽中后,由于液体的浮力和工艺槽底部鼓泡的推力,花篮和硅片都会受到一个向上的力,而硅片则通过花篮固定位置。
目前,花篮送入工艺槽中后,容易出现飘篮现象。而出现飘篮现象后,当机械手从工艺槽中提起花篮时,机械手向下抓取花篮的行程中会撞到花篮而造成硅片的崩边和缺角。机械手撞击花篮还容易使花篮中的硅片产生位移而部分冒出花篮,使得机械手提起花篮时撞击到硅片;当机械手将提起的花篮放入下一个工艺槽时,还使得硅片容易撞击到工艺槽的槽体或者工艺槽中的其他花篮。
实用新型内容
本申请的目的在于提供一种湿法花篮,能够有效减少飘篮现象和硅片移位现象的出现。
本申请的实施例是这样实现的:
第一方面,本申请实施例提供一种湿法花篮,包括第一支撑板、第二支撑板以及设置于第一支撑板和第二支撑板之间的多个花篮杆,多个花篮杆围成用于容置硅片的容置腔,容置腔具有用于硅片进出容置腔的容置开口,每个花篮杆朝向容置腔的一侧均沿轴向间隔设置有多个花篮齿,每个花篮杆的任意相邻两个花篮齿之间具有用于容置硅片的边缘的容置槽,且任意两个花篮杆的容置槽对应设置。
上述技术方案中,花篮杆朝向容置腔的一侧沿轴向间隔设置多个花篮齿,每个花篮杆任意相邻两个花篮齿之间的容置槽用于容置硅片的边缘,将任意相邻两个硅片分开,避免产生叠片现象。由于花篮齿具有一定的高度,当容置的硅片尺寸增大时花篮齿与硅片的接触面积增大,当容置的硅片尺寸减小时花篮齿与硅片的接触面积减小,能够较好地对不同尺寸的硅片进行容置。
在本申请的实施例中,在每个花篮杆均设置花篮齿:各个花篮杆都能够通过花篮齿对硅片进行固定,对硅片的整体固定效果更好,能够有效减少硅片移位现象的出现;能够较好地增加花篮杆的重量,能够在一定程度上减少飘篮现象的出现。
发明人研究还发现,目前的花篮只能满足小硅片在工艺槽中的固定,当硅片规格增大后,花篮进入工艺槽后花篮杆受到的硅片的推力加大,增加了飘篮现象发生的几率。在花篮杆设置花篮齿,通过对花篮齿的高度进行控制,使得花篮齿能够较好地与硅片进行接触并对硅片进行固定,在一定范围内对硅片的浮动实现控制,能够有效降低飘篮的几率。
在一些可能的实施方案中,每个花篮杆的横截面均为圆形。
上述技术方案中,花篮杆的横截面设置为圆形,避免花篮杆在使用时生应力集而使花篮损坏,同时避免花篮杆上产生棱角而容易造成硅片出现崩边缺角的现象。
在一些可能的实施方案中,花篮杆为碳纤棒,且每个花篮杆的直径为15-25mm。
上述技术方案中,花篮杆直径下限为12mm,增大了花篮杆的直径和重量,能够有效避免出现飘篮现象,也能够有效避免因飘篮现象而导致的硅片移位现象;花篮杆直径上限为25mm,使花篮杆的直径具有合适的增大程度,在有效避免出现飘篮现象的同时减轻搬运负担。
在一些可能的实施方案中,花篮齿的齿高为12-16mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造