[实用新型]激光剥离设备有效
| 申请号: | 202021961916.0 | 申请日: | 2020-09-09 |
| 公开(公告)号: | CN212725248U | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
| 发明(设计)人: | 王斌;范春林;汪庆 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/268;H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 周春枚 |
| 地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 激光 剥离 设备 | ||
本实用新型公开了一种激光剥离设备。其中,该激光剥离设备,包括:箱体;进气孔,与惰性气体管路和上述箱体相连接,用于为惰性气体提供进入上述箱体的内部空间的入口;出气孔,与上述箱体和真空抽气泵相连接,其中,上述真空抽气泵用于在检测到上述箱体内的上述惰性气体的气体压强值大于预设阈值时,通过上述出气孔抽取上述惰性气体。本实用新型解决了相关技术中的激光剥离设备由于无法保证良好的剥离环境,导致激光剥离速率和剥离良率较低的技术问题。
技术领域
本实用新型涉及激光剥离领域,具体而言,涉及一种激光剥离设备。
背景技术
氮化镓GaN材料具有禁带宽度高、热导率高、击穿电场高、电子饱和与迁移速率高、介电常数小、性质稳定、熔点高、硬度高等特点,被广泛应用于蓝光LED和绿光LED设备中,由于GaN生长在蓝宝石基底上,因此需要通过激光剥离工艺得到LED芯片。
相关技术中,激光剥离的工艺参数和剥离环境均会影响激光剥离质量,例如,在剥离过程中由于无法保证良好的剥离环境,导致激光剥离速率和剥离良率较低。
针对上述的问题,目前尚未提出有效的解决方案。
实用新型内容
本实用新型实施例提供了一种激光剥离设备,以至少解决相关技术中的激光剥离设备由于无法保证良好的剥离环境,导致激光剥离速率和剥离良率较低的技术问题。
根据本实用新型实施例的一个方面,提供了一种激光剥离设备,包括:箱体;进气孔,与惰性气体管路和上述箱体相连接,用于为惰性气体提供进入上述箱体的内部空间的入口;出气孔,与上述箱体和真空抽气泵相连接,其中,上述真空抽气泵用于在检测到上述箱体内的上述惰性气体的气体压强值大于预设阈值时,通过上述出气孔抽取上述惰性气体。
可选地,上述激光剥离设备还包括:温控设备,与生长基板相连接,用于测量上述生长基板的基板温度值,调节上述供热设备的加热温度值和上述导热设备内冷却液的流量值。
可选地,上述温控设备包括:供热设备,用于为上述激光剥离设备提供热量;导热设备,与上述供热设备和上述生长基板相连接,用于将上述供热设备提供的上述热量传递至上述生长基板。
可选地,上述导热设备上设置有吸附孔,上述导热设备用于通过上述吸附孔与上述生长基板吸附连接。
可选地,上述导热设备上还设置有抽气孔,上述抽气孔与上述吸附孔相通,并与上述真空抽气泵相连接,上述真空抽气泵用于通过上述抽气孔对上述导热设备进行抽真空处理。
可选地,上述导热设备上还设置有冷却液管路,上述冷却液管路连接有冷却液进口和冷却液出口,上述冷却液管路用于通过冷却液调节上述导热设备的设备温度值。
可选地,上述导热设备包括导热铜材。
可选地,上述供热设备包括电热丝。
可选地,上述进气孔和上述出气孔均设置有开关阀门,上述出气孔还与气压表相连接,其中,上述气压表用于检测上述箱体内的上述惰性气体的气体压强值。
可选地,上述箱体上端开口,上述激光剥离设备还包括:透光盖板,与上述箱体可拆卸连接,在上述透光盖板盖设上述箱体的上端开口后,与上述箱体构成密闭空间。
在本实用新型实施例中,通过在激光剥离设备上设置进气孔,与惰性气体管路和箱体相连接,用于为惰性气体提供进入上述箱体的内部空间的入口;出气孔,与上述箱体和真空抽气泵相连接,其中,上述真空抽气泵用于在检测到上述箱体内的上述惰性气体的气体压强值大于预设阈值时,通过上述出气孔抽取上述惰性气体,达到了为激光剥离设备的箱体内提供低压惰性气体氛围的目的,从而实现了提高激光剥离设备的激光剥离速率和剥离良率的技术效果,进而解决了相关技术中的激光剥离设备由于无法保证良好的剥离环境,导致激光剥离速率和剥离良率较低的技术问题。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





