[实用新型]一种带灵敏放大器的存储装置

说明书

本实用新型公开了一种带灵敏放大器的存储装置，包括灵敏放大器以及存储器，所述存储器包括衬底、翅、第一介质层、栅极、源极和漏极，存储器还设置有凸台和绝缘层，绝缘层设置在衬底上，凸台位于绝缘层上，翅位于凸台上，凸台为绝缘的凸台，第一介质层设置在相邻的翅之间，使各个翅相互独立，栅极位于源极和漏极之间，源极与漏极分别与翅相连，第一介质层上开有沟槽，栅极位于沟槽内，栅极与沟槽之间设置有第二介质层，栅极上设置有第三介质层，第三介质层与栅极之间还设置有第一氢阻断层。本实用新型不但提高了存储装置的可靠性，同时漏电流小。

技术领域

本实用新型涉及集成领域，特别涉及一种带灵敏放大器的存储装置。

背景技术

计算机环境范例已经变化为任何时间以及任何地方都能够使用的无处不在的计算系统。归因于此事实，诸如移动电话、数字相机、以及笔记本电脑的便携式电子设备的使用已得到迅速的增张。这些便携式电子设备通常使用具有存储器件的存储系统，存储器件即数据储存器件。数据储存器件用作这些便携式电子设备中的主存储器件或辅助存储器件。从而，诸如存储系统的数字数据储存器的可靠性和性能是关键的。使用存储器件的这些数据储存器件提供极好的稳定性、耐用性、高信息存取速度、以及低功耗。

常规的存储装置制造流程制出的中存储装置，存在以下不足：

①氢阻断能力不足而影响存储装置的可靠性。

②漏电流过大导致存储装置的保留时间等性能较差。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种带灵敏放大器的存储装置，该带灵敏放大器的存储装置不但提高了存储装置的可靠性，同时漏电流小。

技术方案是：一种带灵敏放大器的存储装置，包括灵敏放大器以及存储器，所述存储器包括衬底、翅、第一介质层、栅极、源极和漏极，存储器还设置有凸台和绝缘层，绝缘层设置在衬底上，凸台位于绝缘层上，翅位于凸台上，凸台为绝缘的凸台，第一介质层设置在相邻的翅之间，使各个翅相互独立，栅极位于源极和漏极之间，源极与漏极分别与翅相连，第一介质层上开有沟槽，栅极位于沟槽内，栅极与沟槽之间设置有第二介质层，栅极上设置有第三介质层，第三介质层与栅极之间还设置有第一氢阻断层。

作为优选，所述存储器还包括第二氢阻断层，第二氢阻断层位于第一氢阻断层与第三介质层之间。

作为优选，所述第一氢阻断层为氮化硅层，第二氢阻断层为氧化铝层。

作为优选，所述第一氢阻断层的厚度为5-8纳米，第二氢阻断层的厚度为5-8纳米。

作为优选，所述衬底为单晶硅衬底、单晶锗衬底、绝缘体上硅衬底或绝缘体上锗衬底。

作为优选，所述存储器还包括第一中间层和第二中间层，第一中间层位于翅与漏极之间，第二中间层位于翅与源极之间。

作为优选，所述第一中间层与漏极之间还设置有第一硅层，第二中间层与源极之间还设置有第二硅层。

作为优选，所述第一硅层为多晶硅层，第二硅层为多晶硅层。

作为优选，所述翅为长条形。

作为优选，所述第一介质层为氧化硅层、氮化硅层或氮氧化硅层，第二介质层为氧化硅层、氮化硅层或氮氧化硅层，第三介质层为氧化硅层、氮化硅层或氮氧化硅层。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：

本实用新型不但提高了存储装置的可靠性，同时漏电流小。

附图说明

图1是本实用新型实施例1存储器整体结构示意图；

图2是图1的剖视图示意图；

图3是本实用新型实施例2存储器整体结构示意图；