[实用新型]一种带灵敏放大器的存储装置

权利要求书

1.一种带灵敏放大器的存储装置，包括灵敏放大器以及存储器，其特征在于，所述存储器包括衬底、翅、第一介质层、栅极、源极和漏极，存储器还设置有凸台和绝缘层，绝缘层设置在衬底上，凸台位于绝缘层上，翅位于凸台上，凸台为绝缘的凸台，第一介质层设置在相邻的翅之间，使各个翅相互独立，栅极位于源极和漏极之间，源极与漏极分别与翅相连，第一介质层上开有沟槽，栅极位于沟槽内，栅极与沟槽之间设置有第二介质层，栅极上设置有第三介质层，第三介质层与栅极之间还设置有第一氢阻断层。

2.根据权利要求1所述的带灵敏放大器的存储装置，其特征在于：所述存储器还包括第二氢阻断层，第二氢阻断层位于第一氢阻断层与第三介质层之间。

3.根据权利要求2所述的带灵敏放大器的存储装置，其特征在于：所述第一氢阻断层为氮化硅层，第二氢阻断层为氧化铝层。

4.根据权利要求3所述的带灵敏放大器的存储装置，其特征在于：所述第一氢阻断层的厚度为5-8纳米，第二氢阻断层的厚度为5-8纳米。

5.根据权利要求1所述的带灵敏放大器的存储装置，其特征在于：所述衬底为单晶硅衬底、单晶锗衬底、绝缘体上硅衬底或绝缘体上锗衬底。

6.根据权利要求1所述的带灵敏放大器的存储装置，其特征在于：所述存储器还包括第一中间层和第二中间层，第一中间层位于翅与漏极之间，第二中间层位于翅与源极之间。

7.根据权利要求6所述的带灵敏放大器的存储装置，其特征在于：所述第一中间层与漏极之间还设置有第一硅层，第二中间层与源极之间还设置有第二硅层。

8.根据权利要求7所述的带灵敏放大器的存储装置，其特征在于：所述第一硅层为多晶硅层，第二硅层为多晶硅层。

9.根据权利要求1所述的带灵敏放大器的存储装置，其特征在于：所述翅为长条形。

10.根据权利要求1所述的带灵敏放大器的存储装置，其特征在于：所述第一介质层为氧化硅层、氮化硅层或氮氧化硅层，第二介质层为氧化硅层、氮化硅层或氮氧化硅层，第三介质层为氧化硅层、氮化硅层或氮氧化硅层。