[实用新型]一种高效功率半导体组合器件有效
| 申请号： | 202021935905.5 | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN212850441U | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王一鸣;张波;魏万腾 | 申请（专利权）人： | 锦浪科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567;H02M1/00 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 张静汝 |
| 地址： | 315700 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高效 功率 半导体 组合 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种高效功率半导体组合器件，其特征在于：包括MOS管、IGBT管和DIODE管，所述MOS管、IGBT管和DIODE管相互并联，所述MOS管的栅极和IGBT管的门极为高效功率半导体组合器件的驱动端，所述MOS管和IGBT管同时驱动。
2.根据权利要求1所述的高效功率半导体组合器件，其特征在于：所述MOS管的漏极、IGBT管的集电极和DIODE管的阴极相连，MOS管的源极、IGBT管的发射极和DIODE管的阳极相连。
3.根据权利要求2所述的高效功率半导体组合器件，其特征在于：所述MOS管的漏极、IGBT管的集电极和DIODE管的阴极通过低感导线相连、或通过集成电路板相连、或直接相连。
4.根据权利要求3所述的高效功率半导体组合器件，其特征在于：所述MOS管的源极、IGBT管的发射极和DIODE管的阳极通过低感导线相连、或通过集成电路板相连、或直接相连。
5.根据权利要求1所述的高效功率半导体组合器件，其特征在于：所述MOS管、IGBT管和DIODE管集成封装。
6.根据权利要求1-5任一项所述的高效功率半导体组合器件，其特征在于：所述MOS管为SiC MOSFET管，IGBT管为Si IGBT管，DIODE管为SiC DIODE管。
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