[实用新型]一种半导体刻蚀设备有效
| 申请号： | 202021909862.3 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN212676226U | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 谢海波;梁玲;张志雄;李刚 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李晓光 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 刻蚀 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体刻蚀设备，其特征在于，所述半导体刻蚀设备包括：至少一个装卸室和抽气泵；
所述装卸室的抽气口和所述抽气泵的进气口通过管道连接；
每一个所述装卸室和所述抽气泵之间的管道上分别设置有气流控制装置，用于防止气体反灌至所述装卸室。
2.根据权利要求1所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述装卸室的数量为两个；
其中一个所述装卸室的抽气口与所述管道的第一端口连接，另一个所述装卸室的抽气口与所述管道的第二端口连接，所述抽气泵的进气口与所述管道的第三端口连接。
3.根据权利要求2所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述管道为一体化管道；
所述管道的端口数量与所述装卸室和所述抽气泵的个数总和相同。
4.根据权利要求1所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述气流控制装置为单向阀。
5.根据权利要求1所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述抽气泵为干泵。
6.根据权利要求1所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述半导体刻蚀设备还包括：
设置在所述装卸室内的压力传感器。
7.根据权利要求6所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述压力传感器为真空压力传感器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
