[实用新型]一种单晶硅片的双面抛光装置

说明书

本实用新型新型涉及一种单晶硅片的双面抛光装置，包括用于盛放磨削液的液体容器；液体容器底部设置有旋转驱动部；液体容器内设置有第一涡轮；涡轮与旋转驱动部相接，液体容器上侧设置有硅片托盘；硅片托盘设置有硅片夹持机构；硅片托盘上侧连接有旋转机构；旋转机构包括第一主轴和第二主轴；第一主轴和第二主轴之间通过反转齿轮箱相接；第一主轴上设置第二涡轮；硅片托盘设置于第二主轴底部。本实用新型通过在第二主轴外侧固定连接第二涡轮，第二主轴与第一主轴反向转动，使第二涡轮的转动方向与硅片托盘的转动方向相反，由于第二涡轮位于硅片托盘的上方，第二涡轮可以对单晶硅片的上表面形成反向转动的高速水流，对单晶硅片的上表面进行抛光。

技术领域

本实用新型涉及抛光装置，具体涉及一种单晶硅片的双面抛光装置，属于单晶硅加工技术领域。

背景技术

晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿，其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等，单晶硅切片抛光，是指单晶硅表面需要改善微缺陷，从而获得高平坦度的抛光。目前，单晶硅片的表面抛光主要采用化学机械抛光法，基本原理是将待抛光工件在一定的压力下及有抛光液(由超细SiO2磨粒、化学氧化剂和液体介质组成的混合液)存在的情况下，相对于一个抛光垫作旋转运动，借助磨粒的机械磨削及化学氧化剂的腐蚀作用，完成对工件表面的材料去除，获得光洁表面。使用该加工方法，要获得品质好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则会在抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹；反之，机械抛光作用大于化学腐蚀作用则表面产生高损伤层，磨削加工工艺复杂。而现有的液体抛光方式，主要是通过高速转动的磨削液中的金刚石磨料对单晶硅片进行抛光。由于液体转动反向和待加工件转动方向相反，使得金刚石与单晶硅表面产生高速接触。这种方式只能针对单晶硅片的单面进行处理，无法两面同时抛光，加工效率较低。因此，有待进一步改进。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的是克服现有技术中的缺陷，提供一种单晶硅片的双面抛光装置，加工效率高，抛光效果好，结构简单合理，操作便捷。

为达到上述目的，本实用新型提供一种单晶硅片的双面抛光装置，包括用于盛放磨削液的液体容器；所述的液体容器底部设置有旋转驱动部；所述的液体容器内设置有第一涡轮；所述的涡轮与旋转驱动部相接，所述的液体容器上侧设置有硅片托盘；所述的硅片托盘设置有硅片夹持机构；所述的硅片托盘上侧连接有旋转机构；所述的旋转机构包括第一主轴和第二主轴；所述的第一主轴和第二主轴之间通过反转齿轮箱相接；所述的第一主轴上设置第二涡轮；所述的硅片托盘设置于第二主轴底部。

优选的，所述的液体容器固定设置在升降台上；所述的旋转驱动部连接于升降台；所述的液体容器相对硅片托盘上下运动；所述的液体容器上侧开设有硅片放入口。

优选的，所述的旋转机构还包括驱动电机；所述的第一主轴与电机输出轴固定连接；所述的反转齿轮箱包括箱体外壳；所述的第一主轴和第二主轴分别与箱体外壳转动连接。

优选的，所述的箱体外壳内部两侧设置有第一伞齿轮；所述的第一主轴和第二主轴位于箱体外壳内的端部设置有第二伞齿轮。

优选的，所述的第一伞齿轮和第二伞齿轮相互啮合；所述的第一伞齿轮和第二伞齿轮分别通过螺母和轴承连接于第一主轴和第二主轴上。

优选的，所述的螺母于第一伞齿轮以及第二伞齿轮之间设置有垫片。

优选的，所述的旋转机构通过固定支架设置在所述液体容器的外侧；所述的第一涡轮相对硅片托盘反向转动；所述的硅片托盘内侧开设有与硅片形状相匹配的通孔。

优选的，所述的通孔内侧设置有内凸沿；所述的夹持机构包括开设于所述内凸沿上的真空吸附孔。