[实用新型]一种晶圆研磨机构有效

专利信息
申请号: 202021897451.7 申请日: 2020-09-02
公开(公告)号: CN212886986U 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 吴俊;向宏阳 申请(专利权)人: 珠海市中芯集成电路有限公司
主分类号: B24B37/10 分类号: B24B37/10;B24B37/34
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 卢泽明
地址: 519000 广东省珠海*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 研磨 机构
【说明书】:

实用新型涉及晶圆制备技术领域,尤其涉及一种晶圆研磨机构,本实用新型的研磨台包括研磨板和转动板,研磨板用于放置晶圆,并且研磨板能够随转动板转动,而研磨头包括连接有主动转轴的研磨片,研磨片相对研磨台倾斜设置,在工作时研磨片与晶圆之间为点接触,进而能够提升研磨的稳定性,保证研磨的质量,避免晶圆外表面出现烧焦或破片的问题,并且研磨片和研磨板均能够转动从而能够在晶圆的表面形成弧线的研磨痕迹,能够减小晶圆磨削后的损伤深度,为后工序做好加工质量铺垫,还可以提高晶圆磨削加工表面层质量,消除表面应力,并且能够减少磨轮损耗,提高磨轮的寿命,节约成本。

技术领域

本实用新型涉及晶圆制备技术领域,尤其涉及一种晶圆研磨机构。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片,晶圆是生产集成电路所用的载体,一般意义晶圆多指单晶硅圆片。晶圆是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至研发更大规格。晶圆越大,同一圆片上可生产的IC就越多,可降低成本。在晶圆的正面进行集成电路加工工艺后,会对该晶圆的背面进行减薄,以便进行其他的背面的工艺,在一个典型的应用中,在完成集成电路加工工艺后,利用晶圆级封装技术将不同的晶圆堆叠键合在一起,并从晶圆的背面实现减薄,减薄去除厚度达到晶圆厚度的90%以上,需要通过研磨设备实现快速减薄,现有的晶圆研磨设备通常采用水平设置的研磨片,研磨片与晶圆的接触面积大,造成研磨质量不稳定,晶圆表面产生烧焦、磨削痕迹深浅不一的问题。

实用新型内容

为了克服上述现有技术的不足,本实用新型提供了一种晶圆研磨机构,能够有效提升晶圆研磨的质量,避免晶圆表面产生烧焦、磨削痕迹深浅不一的问题。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案为:一种晶圆研磨机构,包括基座、设置在所述基座上的研磨台以及设置在所述研磨台上方的研磨头,其中,所述研磨台包括呈环形的固定板,设置在所述固定板底部的转动板以及与所述转动板固定连接的研磨板,所述研磨板上开设有若干个负压孔,所述研磨板盖设在所述固定板上并且与所述固定板之间形成负压腔,所述负压腔外接有负压管;所述研磨头包括机架以及设置在所述机架上的研磨片,所述研磨片倾斜设置,所述机架连接有竖向驱动机构,所述研磨片连接有转动主轴。

进一步地,所述机架上设置有倾斜的安装孔,所述转动主轴穿设在所述安装孔上并且端部与所述研磨片连接。

进一步地,所述转动主轴为中空的轴构件,并且所述转动主轴的内壁设置有第一磁铁部,所述研磨片连接有转动从动轴,所述转动从动轴的一端穿过静压气体轴承并且容置在所述转动主轴内,所述静压气体轴承的端部设置有至少一个倾斜调整机构,所述转动从动轴的外壁上设置有与所述第一磁铁部相配合的第二磁铁部。

进一步地,所述静压气体轴承包括轴承壳体以及设置在所述轴承壳体内部的中空轴,所述中空轴套接在所述转动从动轴上,所述轴承壳体的上端面设置有推力板,所述推力板与所述倾斜调整机构连接。

进一步地,所述基座上还设置有转盘,所述研磨台有至少三个并且沿周向设置在所述转盘上,至少三个所述研磨台随所述转盘转动依次移动至所述研磨片的下方。

进一步地,所述基座上与所述研磨片相对应的位置上设置有第一转动驱动机构,至少三个所述研磨台均与所述第一转动驱动机构离合连接。

进一步地,所述转盘上设置有用导向槽,所述研磨台连接有直线驱动机构,所述研磨台可有所述直线驱动机构驱使而沿所述导向槽移动。

进一步地,所述转动板的下端设置有连接轴,所述连接轴的下端呈半圆形套筒状且设置有内花键,所述第一转动驱动机构设置有外花键。

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