[实用新型]等离子刻蚀机的电极结构

说明书

本实用新型涉及一种等离子刻蚀机的电极结构，包括：第一电极，具有第一表面，第一表面用于承载样品；位于第一电极上方且相对于第一电极设置的第二电极；以及第三电极，具有第二表面，第三电极可移动地设于第二电极的外侧，以调节第二表面相对于第一表面的距离。

技术领域

本实用新型涉及一种等离子刻蚀机的电极结构，该电极结构可以提高等离子体的控制精度，改善样品边缘处刻蚀图形的形貌倾斜的问题，节约了时间且降低了成本。

背景技术

半导体集成电路自诞生以来，经历了从小规模、中规模到大规模和超大规模集成的发展阶段，并日益成为现代科学技术中最为活跃的技术领域之一。

存储器是一种广泛使用的半导体器件。为了克服传统的二维存储器在存储容量方面的限制，现代工艺往往采用堆叠存储芯片的方式来实现更高的集成度。例如，可以将不同功能的芯片或结构，通过堆叠或孔互连等微机械加工技术，在垂直方向上形成立体集成、信号连通的三维(3D)立体器件。三维存储器就是利用这一技术将存储器单元三维地布置在衬底之上，进而实现提高存储器的性能和存储密度的目的。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种等离子刻蚀机的电极结构，该电极结构可以提高等离子体的控制精度，改善样品边缘处刻蚀图形的形貌倾斜的问题，节约了时间且降低了成本。

本实用新型为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种等离子刻蚀机的电极结构，包括：第一电极，具有第一表面，所述第一表面用于承载样品；位于所述第一电极上方且相对于所述第一电极设置的第二电极；以及第三电极，具有第二表面，所述第三电极可移动地设于所述第二电极的外侧，以调节所述第二表面相对于所述第一表面的距离。

在本实用新型的一实施例中，所述第三电极在所述第一表面的投影位于所述样品在所述第一表面的投影的外侧。

在本实用新型的一实施例中，还包括控制杆，用于带动所述第三电极移动，以调节所述第二表面相对于所述第一表面的距离。

在本实用新型的一实施例中，还包括用于驱动所述控制杆的电机。

在本实用新型的一实施例中，所述第三电极环绕所述第二电极。

在本实用新型的一实施例中，还包括第四电极，具有第三表面，所述第四电极可移动地设于所述样品的外侧，以调节所述第三表面相对于所述第二表面的距离。

在本实用新型的一实施例中，所述第四电极环绕所述第一电极。

在本实用新型的一实施例中，所述样品的尺寸小于或等于所述第一电极的尺寸。

在本实用新型的一实施例中，所述样品的尺寸小于或等于所述第二电极的尺寸。

在本实用新型的一实施例中，所述样品包括晶圆。

本实用新型由于采用以上技术方案，使之与现有技术相比，具有如下显著优点：

本实用新型的等离子刻蚀机的电极结构通过在第二电极外侧设置可移动的第三电极，以调节第二表面相对于第一表面的距离，从而可以提高等离子体的控制精度，改善样品边缘处刻蚀图形的形貌倾斜的问题，节约了时间且降低了成本。

附图说明

为让本实用新型的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本实用新型的具体实施方式作详细说明，其中：

图1是本实用新型一实施例的一种等离子刻蚀机的电极结构的结构示意图；

图2是本实用新型一实施例的一种等离子刻蚀机的电极结构的第三电极移动的示意图；

图3是本实用新型一实施例的一种等离子刻蚀机的电极结构的样品表面刻蚀图形的形貌倾斜程度的示意图。

具体实施方式