[实用新型]一种晶圆键合对准结构有效
| 申请号: | 202021865743.2 | 申请日: | 2020-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN212570956U | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
| 发明(设计)人: | 陶为银;巩铁建 | 申请(专利权)人: | 河南通用智能装备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/67 |
| 代理公司: | 郑州中原专利事务所有限公司 41109 | 代理人: | 范小方 |
| 地址: | 450001 河南省郑州市高新技术产业*** | 国省代码: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 晶圆键合 对准 结构 | ||
本实用新型公开了一种晶圆键合对准结构,包括液压棒、承块和底座,晶圆外侧设置有两个与晶圆圆心对称的定位针,晶圆圆心中间设置有圆心孔,圆心孔周围设置有垫片,底座右侧设置有下部分镶嵌在底座内部的液压棒,液压棒上方设置有伸缩杆,伸缩杆上方连接有上承块,底座上方设置有下定位板,下定位板中间设置有转槽,转槽上方设置有轴承,转槽两侧设置有下定位块,且中间柱上方设置有右侧末端固定在上承块上的加强筋,连块右侧末端与上定位板固定,上定位板底部与连块平行,且上定位板底部与上承块平行,下定位板与上定位板平行,电机左侧延伸杆通过末端固定的转换器对下方的旋转轴连接,晶圆上的圆心孔半径与旋转柱横截面半径大小相同。
技术领域
本实用新型涉及晶圆加工技术领域,具体为一种晶圆键合对准结构。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅,高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅,硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆,目前国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主,晶圆的主要加工方式为片加工和批加工,即同时加工1 片或多片晶圆,随着半导体特征尺寸越来越小,加工及测量设备越来越先进,使得晶圆加工出现了新的数据特点,同时,特征尺寸的减小,使得晶圆加工时,空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大,而随着洁净的提高,颗粒数也出现了新的数据特点,当前市面上存在的晶圆结构普遍存在对接难度大,容易对晶圆本体造成损坏,晶圆大小不一致,需要多个对准结构等问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种晶圆键合对准结构,以解决上述背景技术中提出的对接难度大,容易对晶圆本体造成损坏,晶圆大小不一致,需要多个对准结构等问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种晶圆键合对准结构,包括晶圆、液压棒、承块和底座,所述晶圆外侧设置有两个与晶圆圆心对称的定位针,晶圆圆心中间设置有圆心孔,圆心孔周围设置有垫片,底座右侧设置有下部分镶嵌在底座内部的液压棒,液压棒上方设置有伸缩杆,伸缩杆上方连接有上承块,底座上方设置有下定位板,下定位板中间设置有转槽,转槽上方设置有轴承,转槽两侧设置有下定位块,下定位块内部设置有定位槽,且下定位板右侧设置有限位块,上承块右侧设置有固定在上承块上的上定位板,上定位板中间设置有旋转柱,旋转柱上方设置有旋转轴,旋转柱两侧设置有上定位块,上定位块下方内部设置有定位槽,上定位板左侧设置有连块,连块右侧设置有中间柱,中间柱上方设置有电机,电机的延伸轴末端设置有转换器,且中间柱上方设置有右侧末端固定在上承块上的加强筋。
优选的,所述液压棒底部镶嵌在底座内部,且伸缩杆上方顶部末端与上定位板底部末端平行,伸缩杆下方底部与下定位板平行。
优选的,所述上承块左侧固定的加强筋右侧末端固定在上承块上,加强筋左侧末端固定在连块上,连块右侧末端与上定位板固定,中间柱左侧固定在连块上,中间柱右侧固定在上承块上。
优选的,所述电机固定在中间柱上,电机左侧末端连接的转换器下方安装有旋转轴,旋转轴下方连接有旋转柱。
优选的,所述上定位板底部与连块平行,且上定位板底部与上承块平行,旋转柱与转槽契合,连块顶部高度低于上承块的高度。
优选的,所述底座与下定位板平行,下定位板与上定位板平行,电机左侧延伸杆通过末端固定的转换器对下方的旋转轴连接,晶圆上的圆心孔半径与旋转柱横截面半径大小相同。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该晶圆键合对准结构,结构设置合理,在中间柱和加强筋的内部安装电机,不影响外部美观效果,在晶圆内部设置圆心孔,在晶圆外侧设置定位针,不影响晶圆整体的完整度,在连块内部设置上定位板,在底座上设置下定位板,当使用大小不一的晶圆进行对准时,可以直接更换上连接块和下连接块位置不筒的定位板,使用范围更广,有利于提高工作的效率。
附图说明
图1为本实用新型结构晶圆放大示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





