[实用新型]双向可控硅器件

说明书

本实用新型公开一种双向可控硅器件，其阳极电极位于陶瓷绝缘片与第一可控硅芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与导电柱另一端电连接，第一可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部、阴极电极的阴极焊接部和栅极电极的栅极焊接部位于环氧封装体内；此阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚各自末端均为扁平片状管脚，此扁平片状管脚的宽度大于相应的阳极管脚、阴极管脚和栅极管脚的宽度；位于陶瓷绝缘片上表面的第二可控硅芯片的阴极区与第二导电柱的上端电连接，所述阳极电极的阳极焊接部与第二导电柱的下端电连接。本实用新型双向可控硅器件具有两个方向轮流导通、关断的特性，且便于热量扩散，也提高了器件的可靠性。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种双向可控硅器件。

背景技术

可控硅器件主要用在开关方面，使器件从关闭或是阻断的状态转换为开启或是导通的状态，反之亦然。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种双向可控硅器件，该双向可控硅器件具有两个方向轮流导通、关断的特性，且便于热量扩散，也提高了器件的可靠性。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种双向可控硅器件，包括：第一可控硅芯片、第二可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极、阴极电极和栅极电极，所述陶瓷绝缘片开有第一通孔、第二通孔，此第一通孔、第二通孔内分别设置有第一导电柱、第二导电柱，所述第一可控硅芯片位于陶瓷绝缘片的一表面并覆盖通孔，此第一可控硅芯片的阳极区通过一焊膏层与所述导电柱一端电连接，所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与第一可控硅芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与导电柱另一端电连接；

所述第一可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部、阴极电极的阴极焊接部和栅极电极的栅极焊接部位于环氧封装体内，所述阴极电极的阴极焊接部与第一可控硅芯片的阴极区通过第一导线连接，所述栅极电极的栅极焊接部与第一可控硅芯片的栅极区通过第二导线连接；

所述阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚从环氧封装体内延伸出，此阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚各自末端均为扁平片状管脚，此扁平片状管脚的宽度大于相应的阳极管脚、阴极管脚和栅极管脚的宽度，所述扁平片状管脚的中心处开有一矩形通孔；

位于陶瓷绝缘片上表面的第二可控硅芯片的阴极区与第二导电柱的上端电连接，所述阳极电极的阳极焊接部与第二导电柱的下端电连接，所述第二可控硅芯片的阳极区、栅极区分别通过第三导线、第四导线与阴极焊接部、栅极焊接部电连接。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述阴极电极、栅极电极均位于陶瓷绝缘片的前侧。

2. 上述方案中，所述扁平片状管脚的厚度小于相应的阳极管脚、阴极管脚和栅极管脚的厚度。

3. 上述方案中，所述阳极电极与第一可控硅芯片位于同一水平面上。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

1、本实用新型双向可控硅器件，其具有两个方向轮流导通、关断的特性，且大大增加了可控硅芯片与陶瓷绝缘片接触面积，且直接接触，既有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散，也增加了可控硅芯片与阳极电极的垂直距离，提高了器件的可靠性。