[实用新型]双向可控硅器件

权利要求书

1.一种双向可控硅器件，其特征在于：包括：第一可控硅芯片（1）、第二可控硅芯片（14）、陶瓷绝缘片（2）、阳极电极（3）、阴极电极（4）和栅极电极（5），所述陶瓷绝缘片（2）开有第一通孔（21）、第二通孔（22），此第一通孔（21）、第二通孔（22）内分别设置有第一导电柱（61）、第二导电柱（62），所述第一可控硅芯片（1）位于陶瓷绝缘片（2）的一表面并覆盖第一通孔（21），此第一可控硅芯片（1）的阳极区（101）通过一焊膏层（7）与所述第一导电柱一端电连接，所述阳极电极（3）位于陶瓷绝缘片（2）与第一可控硅芯片（1）相背的表面，此阳极电极（3）的阳极焊接部（31）与导电柱另一端电连接；

所述第一可控硅芯片（1）、陶瓷绝缘片（2）、阳极电极（3）的阳极焊接部（31）、阴极电极（4）的阴极焊接部（41）和栅极电极（5）的栅极焊接部（51）位于环氧封装体（8）内，所述阴极电极（4）的阴极焊接部（41）与第一可控硅芯片（1）的阴极区（102）通过第一导线（9）连接，所述栅极电极（5）的栅极焊接部与第一可控硅芯片（1）的栅极区（103）通过第二导线（10）连接；

所述阳极电极（3）的阳极管脚（32）、阴极电极（4）的阴极管脚（42）和栅极电极（5）的栅极管脚（52）从环氧封装体（8）内延伸出，此阳极电极（3）的阳极管脚（32）、阴极电极（4）的阴极管脚（42）和栅极电极（5）的栅极管脚（52）各自末端均为扁平片状管脚（12），此扁平片状管脚（12）的宽度大于相应的阳极管脚（32）、阴极管脚（42）和栅极管脚（52）的宽度，所述扁平片状管脚（12）的中心处开有一矩形通孔（13）；

位于陶瓷绝缘片（2）上表面的第二可控硅芯片（14）的阴极区与第二导电柱（62）的上端电连接，所述阳极电极（3）的阳极焊接部（31）与第二导电柱（62）的下端电连接，所述第二可控硅芯片（14）的阳极区、栅极区分别通过第三导线（15）、第四导线（16）与阴极焊接部（41）、栅极焊接部（51）电连接。

2.根据权利要求1所述的双向可控硅器件，其特征在于：所述阴极电极（4）、栅极电极（5）均位于陶瓷绝缘片（2）的前侧。

3.根据权利要求1所述的双向可控硅器件，其特征在于：所述扁平片状管脚（12）的厚度小于相应的阳极管脚（32）、阴极管脚（42）和栅极管脚（52）的厚度。

4.根据权利要求1所述的双向可控硅器件，其特征在于：所述阳极电极（3）与第一可控硅芯片（1）位于同一水平面上。