[实用新型]一种改善通流及压降的PCB结构有效
| 申请号： | 202021856155.2 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN212851174U | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 马福全;王灿钟 | 申请（专利权）人： | 深圳市一博科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/02 | 分类号： | H05K1/02;H05K1/11 |
| 代理公司： | 深圳市远航专利商标事务所(普通合伙) 44276 | 代理人： | 田志远;袁浩华 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 通流 pcb 结构 | ||
1.一种改善通流及压降的PCB结构，其特征在于，包括电源平面层，所述电源平面层的层数不小于电源通流与单层铜皮通流的比值，和/或，所述电源平面层的厚度不小于电源通流与单层铜皮通流比值的一半。
2.根据权利要求1中所述的一种改善通流及压降的PCB结构，其特征在于，包括多个所述电源平面层，其中一个所述电源平面层的厚度不小于电源通流与单层铜皮通流比值的一半。
3.根据权利要求1中所述的一种改善通流及压降的PCB结构，其特征在于，所述铜皮宽度为1000密耳，所述单层铜皮通流为17.2安培，所述电源通流为30安培，所述电源平面层的层数为2。
4.根据权利要求1中所述的一种改善通流及压降的PCB结构，其特征在于，所述铜皮宽度为1000密耳，所述单层铜皮通流为17.2安培，所述电源通流为30安培，所述电源平面层的层数为3。
5.根据权利要求1中所述的一种改善通流及压降的PCB结构，其特征在于，所述铜皮宽度为1000密耳，所述单层铜皮通流为17.2安培，所述电源通流为30安培，所述电源平面层的厚度为1.0盎司。
6.根据权利要求1中所述的一种改善通流及压降的PCB结构，其特征在于，所述铜皮宽度为1000密耳，所述单层铜皮通流为17.2安培，所述电源通流为30安培，所述电源平面层的厚度为2.0盎司。
7.根据权利要求1中所述的一种改善通流及压降的PCB结构，其特征在于，所述铜皮宽度为1000密耳，所述单层铜皮通流为17.2安培，所述电源通流为30安培，所述电源平面层的厚度为3.0盎司。
8.根据权利要求1中所述的一种改善通流及压降的PCB结构，其特征在于，与所述电源平面层相邻的地平面层的厚度不小于电源通流与单层铜皮通流比值的一半。
9.根据权利要求8中所述的一种改善通流及压降的PCB结构，其特征在于，与所述电源平面层相邻的地平面层的厚度与所述电源平面层的厚度相同。
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