[实用新型]具有隧穿钝化接触的高效P型晶体硅太阳能电池

说明书

本实用新型提供了一种具有隧穿钝化接触的高效P型晶体硅太阳能电池，包括硅基体(1)，其特征在于，在硅基体(1)的正面依次沉积有掺磷N型扩散层(2)、隧穿氧化硅薄膜(3)、透明导电薄膜(4)和减反膜(5)，在硅基体(1)的背面沉积有钝化膜(6)，在硅基体(1)的正面设置有正面电极(7)，在硅基体(1)的背面设置有背面电极(8)。本实用新型解决了电池正面的发射极及金属接触区的复合电流密度偏高，同时减弱多晶硅薄膜正面吸光性问题，提供了一种兼顾吸光性及钝化性能的高效P型电池。

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，涉及一种具有隧穿钝化接触的高效P型晶体硅太阳能电池。

背景技术

近年来，光伏产业化技术发展迅速，各个制造环节均有技术更新。新技术、新工艺带来的是更低的成本及更优的产品性能。最近几年国内晶体硅太阳电池技术的进展仍旧主要集中在PERC 电池的产业导入上，虽然P-型PERC电池的产能一直在增长，但是其产业化效率增长或许已接近饱，因此迫切需要开发下一代的PERC电池，希望能在原有产线的基础上，尽量减少工艺改动而实现产品性能及成本的突破。

发明内容

本实用新型的目的是针对上述问题，提供一种具有隧穿钝化接触的高效P型晶体硅太阳能电池。

为达到上述目的，本实用新型采用了下列技术方案：

一种具有隧穿钝化接触的高效P型晶体硅太阳能电池，包括硅基体(1)，其特征在于，在硅基体(1)的正面依次沉积有掺磷 N型扩散层(2)、隧穿氧化硅薄膜(3)、透明导电薄膜(4)和减反膜(5)，在硅基体(1)的背面沉积有钝化膜(6)，在硅基体(1) 的正面设置有正面电极(7)，在硅基体(1)的背面设置有背面电极(8)。

进一步的，在掺磷N型扩散层(2)与透明导电薄膜(4)之间还设置有隧穿氧化硅薄膜(3)。

进一步的，掺磷N型扩散层(2)通过单独的磷掺杂工艺、多晶硅薄膜的薄膜掺杂工艺得到，隧穿氧化硅薄膜(3)通过热氧化、湿法氧化或者暴露于强氧化性气体中得到。

进一步的，所述的透明导电薄膜(4)为含铟、锡、锌、镉、钛的其中一种的金属氧化物和/或氮化物薄膜。

进一步的，所述的减反膜(5)为多层SiNx薄膜、SiOxNy薄膜、SiOx薄膜或AlOx薄膜，或者为SiNx薄膜SiOxNy薄膜、SiOx 薄膜和AlOx薄膜两种及以上的组合。

进一步的，所述的钝化膜(6)为多层SiNx薄膜、SiOxNy薄膜、SiOx薄膜或AlOx薄膜，或者为SiNx薄膜、SiOxNy薄膜、SiOx 薄膜和AlOx薄膜两种及以上的组合

进一步的，隧穿氧化硅薄膜(3)的厚度为0.3-10nm，透明导电薄膜(4)的厚度为10-300nm，减反膜(5)的厚度为30-300nm，钝化膜(6)的厚度为10-300nm。

进一步的，所述正面电极(7)的浆料为烧穿型，浆料烧穿减反膜(5)后直接与透明导电薄膜(4)形成接触。

进一步的，所述正面电极(7)的浆料为非烧穿型，通过激光、刻蚀或者阻挡线的方式将减反膜(5)打开后浆料与透明导电薄膜 (4)形成接触。

进一步的，所述背面电极(8)的浆料为烧穿型，浆料烧穿钝化膜(6)后直接与硅基体(1)接触；或者，所述背面电极(8) 的浆料为非烧穿型，浆料通过激光、刻蚀或者阻挡线的方式将钝化膜(6)打开后与硅基体(1)形成接触。

本实用新型的具有隧穿钝化接触的高效P型晶体硅太阳能电池，可以通过下述步骤制备得到：

1)硅基体经过清洗后，通过管式磷扩散形成掺磷N型扩散层，

2)在掺磷N型扩散层表面生长一层隧穿氧化硅薄膜；

3)在隧穿氧化硅薄膜上沉积透明导电薄膜；