[实用新型]具有隧穿钝化接触的高效P型晶体硅太阳能电池有效
| 申请号： | 202021850162.1 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN213520011U | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 张学玲;杨阳;冯志强;皮亚同·皮·阿特玛特 | 申请（专利权）人： | 天合光能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213031 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 钝化 接触 高效 晶体 太阳能电池 | ||
1.一种具有隧穿钝化接触的高效P型晶体硅太阳能电池，包括硅基体(1)，其特征在于，在硅基体(1)的正面依次沉积有掺磷N型扩散层(2)、隧穿氧化硅薄膜(3)、透明导电薄膜(4)和减反膜(5)，在硅基体(1)的背面沉积有钝化膜(6)，在硅基体(1)的正面设置有正面电极(7)，在硅基体(1)的背面设置有背面电极(8)。
2.根据权利要求1所述的具有隧穿钝化接触的高效P型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述的透明导电薄膜(4)为含铟、锡、锌、镉、钛的其中一种的金属氧化物和/或氮化物薄膜。
3.根据权利要求1所述的具有隧穿钝化接触的高效P型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述的减反膜(5)为多层SiNx薄膜、SiOxNy薄膜、SiOx薄膜或AlOx薄膜，或者为SiNx薄膜、SiOxNy薄膜、SiOx薄膜和AlOx薄膜两种及以上的组合。
4.根据权利要求1所述的具有隧穿钝化接触的高效P型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述的钝化膜(6)为多层SiNx薄膜、SiOxNy薄膜、SiOx薄膜或AlOx薄膜，或者为SiNx薄膜、SiOxNy薄膜、SiOx薄膜和AlOx薄膜两种及以上的组合。
5.根据权利要求1所述的具有隧穿钝化接触的高效P型晶体硅太阳能电池，其特征在于，隧穿氧化硅薄膜(3)的厚度为0.3-10nm，透明导电薄膜(4)的厚度为10-300nm，减反膜(5)的厚度为30-300nm，钝化膜(6)的厚度为10-300nm。
6.根据权利要求1-5任一所述的具有隧穿钝化接触的高效P型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述正面电极(7)的浆料为烧穿型，浆料烧穿减反膜(5)后直接与透明导电薄膜(4)形成接触。
7.根据权利要求1-5任一所述的具有隧穿钝化接触的高效P型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述正面电极(7)的浆料为非烧穿型，通过激光、刻蚀或者阻挡线的方式将减反膜(5)打开后浆料与透明导电薄膜(4)形成接触。
8.根据权利要求1-5任一所述的具有隧穿钝化接触的高效P型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述背面电极(8)的浆料为烧穿型，浆料烧穿钝化膜(6)后直接与硅基体(1)接触；或者，所述背面电极(8)的浆料为非烧穿型，浆料通过激光、刻蚀或者阻挡线的方式将钝化膜(6)打开后与硅基体(1)形成接触。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
