[实用新型]一种半导体设备钛沉积腔自校准罩定向去膜清洗辅助治具

说明书

本实用新型公开一种半导体设备钛沉积腔自校准罩定向去膜清洗辅助治具，包括上限制盖板，下限制盖板和泄流提拉杆，所述上限制盖板内凹设有上覆盖槽，该上覆盖槽底部设有泄流通孔a；所述下限制盖板内凹设有下覆盖槽，该下覆盖槽底部设有泄流通孔b，在下覆盖槽侧壁顶部设有密封槽；所述泄流通孔a或泄流通孔b内连接有泄流提拉杆。通过本申请辅助治具，可以实现精准定向去膜，保护自校准罩本体外侧不接触化学品，所以可以应用效率较高的氢氟酸、硝酸的混酸去膜法进行高效率去膜，自校准罩上镶嵌的三个定位销在去膜时也不受化学品影响，而且该治具可以重复应用，既提高了去膜效率，又节约了时间和化学品成本。

技术领域

本实用新型涉及一种定向去膜辅助治具，具体涉及一种半导体设备钛沉积腔自校准罩定向去膜清洗辅助治具。

背景技术

自校准罩在半导体设备沉积腔体内的作用是配合芯片制造，减少缺陷，芯片在沉积腔内需要沉积钛离子，但是每次沉积钛离子时，自校准罩也会相应的沉积钛离子，如果生产芯片数量较大，自校准罩上就会沉积过多的钛离子，需要定期去除。

目前清洗去除钛离子时，使用的主要方法是氨水双氧水去膜法和氢氟酸、硝酸的混酸去膜法；自校准罩材质是铝，其只有内侧附着有沉积膜，并且在本体上部镶嵌有陶瓷定位销；应用氨水双氧水去膜法对自校准罩本体没有伤害，可以完全浸没去膜，但是化学品用量非常大，且效率很低，去膜周期在3周左右，时间及化学品成本过高，不可接受；应用氢氟酸、硝酸的混酸去膜法效率较高，可在几小时内去膜，但是该方法整体浸泡必将导致自校准罩本体外侧有一定腐蚀，而且陶瓷定位销很有可能因为本体腐蚀而脱落，所以不能完全浸没；因此需要一种辅助治具，进行定向去膜作业。

实用新型内容

针对现有技术存在上述缺陷，本申请提供一种半导体设备钛沉积腔自校准罩定向去膜清洗辅助治具，该治具可以重复应用，既提高了去膜效率，又节约了时间和化学品成本。

为实现上述目的，本申请的技术方案为：一种半导体设备钛沉积腔自校准罩定向去膜清洗辅助治具，包括上限制盖板，下限制盖板和泄流提拉杆，所述上限制盖板内凹设有上覆盖槽，该上覆盖槽底部设有泄流通孔a；所述下限制盖板内凹设有下覆盖槽，该下覆盖槽底部设有泄流通孔b，在下覆盖槽侧壁顶部设有密封槽；所述泄流通孔a或泄流通孔b内连接有泄流提拉杆。

进一步的，所述上限制盖板，下限制盖板和泄流提拉杆的材质为特氟龙。

进一步的，所述上限制盖板位于自校准罩顶部的凸沿与陶瓷定位销之间。

进一步的，所述上限制盖板的上覆盖槽内壁与自校准罩顶部的凸沿外壁贴合，且用耐酸碱胶带进行密封。

进一步的，所述下限制盖板位于自校准罩内的卡台上，所述卡台的内边缘设有凸起的密封沿，该密封沿与下覆盖槽上的密封槽紧密配合。

进一步的，所述下限制盖板与自校准罩内的卡台连接处用耐酸碱胶带进行密封。

更进一步的，所述泄流通孔a、泄流通孔b均为螺纹孔，泄流提拉杆底部拧入螺纹孔内。

更进一步的，所述泄流提拉杆顶部设有五角形拧头。

本实用新型由于采用以上技术方案，能够取得如下的技术效果：通过本申请辅助治具，可以实现精准定向去膜，保护自校准罩本体外侧不接触化学品，所以可以应用效率较高的氢氟酸、硝酸的混酸去膜法进行高效率去膜，自校准罩上镶嵌的三个定位销在去膜时也不受化学品影响，而且该治具可以重复应用，既提高了去膜效率，又节约了时间和化学品成本。

附图说明

图1为上限制盖板结构示意图；

图2为下限制盖板结构示意图；

图3为泄流提拉杆主视图；

图4为自校准罩结构示意图；

图5为上限制盖板与自校准罩组装后的俯视图；