[实用新型]一种半导体设备钛沉积腔自校准罩定向去膜清洗辅助治具有效
| 申请号: | 202021841400.2 | 申请日: | 2020-08-28 |
| 公开(公告)号: | CN213468854U | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
| 发明(设计)人: | 朱光宇;贺贤汉;王松朋;张正伟;李泓波 | 申请(专利权)人: | 富乐德科技发展(大连)有限公司 |
| 主分类号: | B08B3/08 | 分类号: | B08B3/08;B08B13/00 |
| 代理公司: | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人: | 盖小静 |
| 地址: | 116600 辽宁省大连市保税区*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体设备 沉积 校准 定向 清洗 辅助 | ||
1.一种半导体设备钛沉积腔自校准罩定向去膜清洗辅助治具,其特征在于,包括上限制盖板,下限制盖板和泄流提拉杆,所述上限制盖板内凹设有上覆盖槽,该上覆盖槽底部设有泄流通孔a;所述下限制盖板内凹设有下覆盖槽,该下覆盖槽底部设有泄流通孔b,在下覆盖槽侧壁顶部设有密封槽;所述泄流通孔a或泄流通孔b内连接有泄流提拉杆。
2.根据权利要求1所述一种半导体设备钛沉积腔自校准罩定向去膜清洗辅助治具,其特征在于,所述上限制盖板,下限制盖板和泄流提拉杆的材质为特氟龙。
3.根据权利要求1所述一种半导体设备钛沉积腔自校准罩定向去膜清洗辅助治具,其特征在于,所述上限制盖板位于自校准罩顶部的凸沿与陶瓷定位销之间。
4.根据权利要求3所述一种半导体设备钛沉积腔自校准罩定向去膜清洗辅助治具,其特征在于,所述上限制盖板的上覆盖槽内壁与自校准罩顶部的凸沿外壁贴合,且用耐酸碱胶带进行密封。
5.根据权利要求1所述一种半导体设备钛沉积腔自校准罩定向去膜清洗辅助治具,其特征在于,所述下限制盖板位于自校准罩内的卡台上,所述卡台的内边缘设有凸起的密封沿,该密封沿与下覆盖槽上的密封槽紧密配合。
6.根据权利要求5所述一种半导体设备钛沉积腔自校准罩定向去膜清洗辅助治具,其特征在于,所述下限制盖板与自校准罩内的卡台连接处用耐酸碱胶带进行密封。
7.根据权利要求1所述一种半导体设备钛沉积腔自校准罩定向去膜清洗辅助治具,其特征在于,所述泄流通孔a、泄流通孔b均为螺纹孔,泄流提拉杆底部拧入螺纹孔内。
8.根据权利要求1所述一种半导体设备钛沉积腔自校准罩定向去膜清洗辅助治具,其特征在于,所述泄流提拉杆顶部设有五角形拧头。
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