[实用新型]一种内嵌微流道的散热型TSV转接板

说明书

本实用新型公开一种内嵌微流道的散热型TSV转接板，属于集成电路封装技术领域。散热型TSV转接板包括微流道凹槽层和TSV盖板层，微流道凹槽层和TSV盖板层通过键合层连接。微流道凹槽层包括通过刻蚀形成的微流道凹槽和转接板体通孔，转接板体通孔内设有侧壁金属化层；TSV盖板层包括通过刻蚀形成的微流体出入口和TSV通孔，TSV通孔内设有侧壁金属化层。本实用新型将具有微流道凹槽的微流道凹槽层与具有微流体出入口的TSV盖板层通过键合层连接，形成内部嵌入微流道结构的新型散热型TSV转接板，弥补传统TSV转接板受散热能力限制的不足，赋予转接板的主动散热能力，有效提升转接板的散热水平，可满足高功率密度的三维系统级封装的应用需求。

技术领域

本实用新型涉及集成电路封装技术领域，特别涉及一种内嵌微流道的散热型TSV转接板。

背景技术

随着信息时代的到来，人们都对集成电路的存储、处理等能力要求越来越高；伴随着集成电路的集成度也不断提升，但随着10nm节点制造工艺芯片完成量产，以缩小二维尺寸提高集成电路集成度的技术发展走向极限，于是提出基于TSV的三维芯片集成技术。

ITRS（International Technology Roadmap for Semiconductors，国际半导体技术发展路线图）报告指出，当硅晶体管栅宽达10nm，单颗高性能芯片能量密度将会超过100W/cm²，若将高性能芯片进行TSV三维立体集成，高功率点将在三维立体空间分布，能量密度将会是堆叠芯片能量密度的总和，这将远远超过现有散热方式的散热能力，如何进行有效散热成为制约TSV三维集成的主要技术难题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种内嵌微流道的散热型TSV转接板，以解决现有的TSV三维集成散热能力差的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种内嵌微流道的散热型TSV转接板，微流道凹槽层和TSV盖板层，所述微流道凹槽层和所述TSV盖板层通过键合层连接。

可选的，所述微流道凹槽层包括通过刻蚀形成的微流道凹槽和转接板体通孔，所述转接板体通孔内设有侧壁金属化层；

所述TSV盖板层包括通过刻蚀形成的微流体出入口和TSV通孔，所述TSV通孔内设有侧壁金属化层。

可选的，所述键合层位于所述转接板体TSV通孔、所述TSV通孔、所述微流道凹槽和所述微流体出入口的周边。

可选的，所述微流道凹槽的结构包括直线型、S型和折线型。

可选的，所述转接板体TSV通孔内的侧壁金属化层和所述TSV通孔内的侧壁金属化层的材质均为金属，包括金、铜、钛和镍。

可选的，所述键合层的材料包括金、铜、锡铅、锡银、锡银铜和有机树脂。

可选的，所述微流道凹槽层和所述TSV盖板层的材质一致，包括硅和玻璃。

在本实用新型中提供了一种内嵌微流道的散热型TSV转接板，包括微流道凹槽层和TSV盖板层，所述微流道凹槽层和所述TSV盖板层通过键合层连接。所述微流道凹槽层包括通过刻蚀形成的微流道凹槽和转接板体通孔，所述转接板体通孔内设有侧壁金属化层；所述TSV盖板层包括通过刻蚀形成的微流体出入口和TSV通孔，所述TSV通孔内设有侧壁金属化层。本实用新型将具有微流道凹槽的微流道凹槽层与具有微流体出入口的TSV盖板层通过键合层连接，形成内部嵌入微流道结构的新型散热型TSV转接板，弥补传统TSV转接板受散热能力限制的不足，赋予转接板的主动散热能力，有效提升转接板的散热水平，可满足高功率密度的三维系统级封装的应用需求；转接板体通孔和TSV通孔采用侧壁金属化层及键合层实现电连接，避免传统电镀填充式TSV连接方式的良率低、工艺复杂等缺点，具有良率高、工艺简化等优势。

附图说明

图1是本实用新型提供的内嵌微流道的散热型TSV转接板结构示意图；