[实用新型]传输电路、接口电路以及存储器

说明书

本实用新型实施例提供一种传输电路、接口电路以及存储器，传输电路包括：上层时钟焊盘，用于传输时钟信号；M个上层数据焊盘，用于传输数据信号；下层时钟焊盘，与上层时钟焊盘电连接，且下层时钟焊盘的面积小于上层时钟焊盘的面积；M个下层数据焊盘，与M个上层数据焊盘一一对应的电连接，且下层数据焊盘的面积小于上层数据焊盘的面积；上层时钟焊盘与上层数据焊盘位于第一层，下层时钟焊盘与下层数据焊盘位于第二层，在第一层和第二层之间包括介质层，第一层、介质层、第二层均位于同一衬底上。本实用新型实施例有利于缩短各输入缓冲电路对应的时钟路径长度，减少时序违例，改善各输入缓冲电路对应的时钟路径与输入数据路径的匹配度。

技术领域

本实用新型实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种传输电路、接口电路以及存储器。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

DRAM可以分为双倍速率同步(Double Data Rate，DDR)动态随机存储器、GDDR(Graphics Double Data Rate)动态随机存储器、低功耗双倍速率同步(Low Power DoubleData Rate，LPDDR)动态随机存储器。随着DRAM应用的领域越来越多，如DRAM越来越多的应用于移动领域，用户对于DRAM功耗指标的要求越来越高。

然而，目前的DRAM性能仍有待提高。

实用新型内容

本实用新型实施例解决的技术问题为提供一种传输电路、接口电路以及促成年期，通过设置下层时钟焊盘以及下层数据焊盘实现集中化处理，以实现关键时钟的优化，从而提高时钟性能和减小功率损耗。

为解决上述问题，本实用新型实施例提供一种传输电路，包括：上层时钟焊盘，用于传输时钟信号；M个上层数据焊盘，用于传输数据信号；下层时钟焊盘，与所述上层时钟焊盘电连接，且所述下层时钟焊盘的面积小于所述上层时钟焊盘的面积；M个下层数据焊盘，与所述M个上层数据焊盘一一对应的电连接，且所述下层数据焊盘的面积小于所述上层数据焊盘的面积；其中，所述上层时钟焊盘与所述上层数据焊盘位于第一层，所述下层时钟焊盘与所述下层数据焊盘位于第二层，在所述第一层和所述第二层之间包括介质层，所述第一层、所述介质层、所述第二层均位于同一衬底上，所述M为大于等于2的整数。

另外，还包括：第一金属连线，所述第一金属连线位于所述下层时钟焊盘与所述上层时钟焊盘之间；第二金属连线，所述第二金属连线位于任一所述下层数据焊盘与所述下层数据焊盘对应的所述上层数据焊盘之间，所述第一金属连线的长度小于所述第二金属连线的长度。

另外，所述第一金属连线包括：第一导电孔，所述第一导电孔贯穿所述介质层且与所述下层时钟焊盘相接触；第一金属层，所述第一金属层位于所述介质层远离所述第一层的一侧，且与所述第一导电孔以及所述上层时钟焊盘相接触；所述第二金属连线包括：第二导电孔，所述第二导电孔贯穿所述介质层且与所述下层数据焊盘相接触；第二金属层，所述第二金属层位于所述介质层远离所述第一层的一侧，且与所述第二导电孔以及所述上层数据焊盘相接触；其中，所述第一导电孔的长度与所述第二导电孔的长度相同，所述第一金属层的长度小于所述第二金属层的长度。

另外，所述第一金属连线包括：第一导电插塞，所述第一导电插塞贯穿所述介质层且与所述下层时钟焊盘以及所述上层时钟焊盘相接触；所述第二金属连线包括：第二导电插塞，所述第二导电插塞贯穿所述介质层且与所述下层数据焊盘以及所述上层数据焊盘相接触，且所述第一导电插塞的长度小于所述第二导电插塞的长度。

另外，所述下层时钟焊盘和所述下层数据焊盘的面积相同。