[实用新型]卡罗酸加热系统有效
申请号: | 202021816700.5 | 申请日: | 2020-08-26 |
公开(公告)号: | CN212485282U | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 许忠晖;王東銘;陈嘉勇;李嘉伦 | 申请(专利权)人: | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G03F7/42 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 姚璐华 |
地址: | 250101 山东省济南市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 卡罗酸 加热 系统 | ||
本实用新型公开了一种卡罗酸加热系统,所述卡罗酸加热系统包括:光刻胶清洗室,所述光刻胶清洗室内具有第一加热器,所述第一加热器用于放置待处理芯片,将所述待处理芯片加热至第一温度;预热槽,所述预热槽用于将硫酸加热到第二温度;试剂管路,所述试剂管路用于将双氧水与加热到所述第二温度的硫酸混合为卡罗酸,通过所述卡罗酸清洗加热到所述第一温度的待处理芯片的表面,以去除所述待处理芯片表面的光刻胶;其中,所述第一温度大于所述第二温度。应用本实用新型提供的卡罗酸加热系统,系统结构简单,可以精确的控制芯片表面的温度,避免产片缺陷,提升良率,同时可以达到省电节能的作用。
技术领域
本实用新型涉及半导体制作技术领域,尤其是涉及一种卡罗酸加热系统。
背景技术
随着学科技术的不断发展,越来越多的电子设备被广泛的应用到人们的日常生活以及工作当中,为人的日常生活以及工作带来了巨大的便利,成为当今人们不可或缺的重要工具。
电子设备实现各种功能的核心部件是各种芯片。而光刻工艺是制作半导体器件,形成所需功能芯片的一个重要工艺。光刻工艺中需要通过光刻胶作为掩膜图形,完成图形转移后,需要去除芯片表面的光刻胶。
目前,一般是通过特定加热系统提供所需温度的卡罗酸喷覆在芯片表面,以去除其表面的光刻胶。现有的卡罗酸加热系统的结构复杂,功耗大。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供了一种卡罗酸加热系统,系统结构简单,可以精确的控制芯片表面的温度,避免产片缺陷,提升良率,同时可以达到省电节能的作用。
为了实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种卡罗酸加热系统,所述卡罗酸加热系统包括:
光刻胶清洗室,所述光刻胶清洗室内具有第一加热器,所述第一加热器用于放置待处理芯片,将所述待处理芯片加热至第一温度;
预热槽,所述预热槽用于将硫酸加热到第二温度;
试剂管路,所述试剂管路用于将双氧水与加热到所述第二温度的硫酸混合为卡罗酸,通过所述卡罗酸清洗加热到所述第一温度的待处理芯片的表面,以去除所述待处理芯片表面的光刻胶;
其中,所述第一温度大于所述第二温度。
优选的,在上述的卡罗酸加热系统中,所述第一加热器表面具有第一保护层。
优选的,在上述的卡罗酸加热系统中,所述第一保护层为石英层。
优选的,在上述的卡罗酸加热系统中,所述预热槽包括:
槽体,所述槽体具有进液孔和出液孔,所述进液孔连通第一管路,所述第一管路用于为所述槽体内添加硫酸,所述出液孔用于连通所述试剂管路,用于提供加热到所述第二温度的硫酸;
其中,所述槽体的内壁涂覆有第二保护层,所述槽体内具有第二加热器,用于对所述槽体内的硫酸进行加热。
优选的,在上述的卡罗酸加热系统中,所述第二保护层为石英层或铁氟龙层。
优选的,在上述的卡罗酸加热系统中,所述试剂管路包括:
第二管路,所述第二管路与双氧水供给装置连通;
第三管路,所述第三管路与所述预热槽的出液孔连通;
三通阀,所述三通阀的三个连通口分别连通喷头、所述第二管路和第三管路,使得所述第二管路中的双氧水与所述第三管路中的硫酸混合形成卡罗酸,通过所述喷头向所述待处理芯片表面喷覆卡罗酸。
优选的,在上述的卡罗酸加热系统中,还包括:
电脑,所述电脑通过第一温度控制器与所述第一加热器连接,通过第二温度控制器与所述预热槽中的第二加热器连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造